2006
Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
MIKULÍK, Petr; D. LÜBBERT; P. PERNOT; L. HELFEN; T. BAUMBACH et al.Základní údaje
Originální název
Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
Název česky
Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek
Autoři
MIKULÍK, Petr; D. LÜBBERT; P. PERNOT; L. HELFEN a T. BAUMBACH
Vydání
Applied Surface Science, USA, ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2006, 0169-4332
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Německo
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 1.436
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/06:00017520
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000242317500033
Klíčová slova anglicky
X-ray diffraction; X-ray topography; Microdiffraction; Crystal growth; Microstructure; GaAs; GaN
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 2. 2007 18:35, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
V originále
Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide both local and global characteristics of the microcrystallinity.
Česky
Zobrazení rocking křivek (rocking curve imaging) je založeno na měření série digitálních topogramů v Braggovově uspořádání na odraz s paralelním synchrotronovým svazkem. Metoda umožňuj určit lokální rozorientování krystalové mříže na velké ploše vzorku s velkým úhlovým a laterálním rozlišením. V tomto článk aplikujeme metodu na studium lokálního náklonu mřížky ve dvou různých polovodičových vzorcích s rozorientacemi až do 0.5 deg a s laterálním rozlišením od 30 um do 1 um. Studovali jsme mikrokrystaly ve vzorcích, kterými byly GaAs desky a ELO vzorky GaN.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|