MIKULÍK, Petr, D. LÜBBERT, P. PERNOT, L. HELFEN a T. BAUMBACH. Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging. Applied Surface Science. USA: ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2006, roč. 253, č. 1, s. 188-193. ISSN 0169-4332.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
Název česky Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek
Autoři MIKULÍK, Petr (203 Česká republika, garant), D. LÜBBERT (276 Německo), P. PERNOT (203 Česká republika), L. HELFEN (276 Německo) a T. BAUMBACH (276 Německo).
Vydání Applied Surface Science, USA, ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2006, 0169-4332.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.436
Kód RIV RIV/00216224:14310/06:00017520
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000242317500033
Klíčová slova anglicky X-ray diffraction; X-ray topography; Microdiffraction; Crystal growth; Microstructure; GaAs; GaN
Štítky Crystal growth, GAAS, GaN, Microdiffraction, microstructure, X-ray diffraction, X-ray topography
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 12. 2. 2007 18:35.
Anotace
Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide both local and global characteristics of the microcrystallinity.
Anotace česky
Zobrazení rocking křivek (rocking curve imaging) je založeno na měření série digitálních topogramů v Braggovově uspořádání na odraz s paralelním synchrotronovým svazkem. Metoda umožňuj určit lokální rozorientování krystalové mříže na velké ploše vzorku s velkým úhlovým a laterálním rozlišením. V tomto článk aplikujeme metodu na studium lokálního náklonu mřížky ve dvou různých polovodičových vzorcích s rozorientacemi až do 0.5 deg a s laterálním rozlišením od 30 um do 1 um. Studovali jsme mikrokrystaly ve vzorcích, kterými byly GaAs desky a ELO vzorky GaN.
Návaznosti
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 4. 5. 2024 04:56