2006
Deposition of thin films at higher substrate temperatures in atmospheric pressure glow discharge
TRUNEC, David; Martin ŠÍRA; Pavel SŤAHEL; Vilma BURŠÍKOVÁ; Daniel FRANTA et. al.Základní údaje
Originální název
Deposition of thin films at higher substrate temperatures in atmospheric pressure glow discharge
Název česky
Depozice tenkých vrstev za vysších teplot substrátu v atmosférickém doutnavém výboji
Autoři
TRUNEC, David (203 Česká republika, garant); Martin ŠÍRA (203 Česká republika); Pavel SŤAHEL (203 Česká republika); Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika) a Daniel FRANTA (203 Česká republika)
Vydání
Saga, Japan, 10th International Symposium on High Pressure Low Temperature Plasma Chemistry, od s. 331-334, 4 s. 2006
Nakladatel
Saga University
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Japonsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/06:00016224
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
thin films; glow discharge; atmospheric pressure
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 4. 1. 2007 12:06, Mgr. Martin Šíra, Ph.D.
V originále
The atmospheric pressure glow discharge was used for the deposition of thin organosilicon polymer films. The plasma was burning in pure nitrogen used as a carrier gas and a small admixture of organosilicons compounds such as hexamethyldisilazane (HMDSN) or hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used as a monomer. The temperature of the substrate was elevated up to 120 degrees of Celsia to obtain harder thin films. The homogeneity of thin films was enhanced using movable upper electrode. Electrical measurements were used to distinguish between glow and filamentary regime. Mechanical properties of deposited films were characterised by depth sensing indentation technique. The films were polymer-like, transparent in visible range, with uniform thickness and without pinholes.
Česky
Byly nadeponovány tenké organosilikonové vrstvy v atmosférickém doutnavém výboji. Plasma bylo zapáleno v dusíku s malou příměsí monomeru hexametyldisiloxanu (HMDSO). Aby byly dosaženy vyšší tvrdosri tenkých vrstev, byla teplota substrátu zvýšena až na 120 stupňů celsia. Homogenita tenkých vrstev byla zvýšena použitím pohyblivé horní elektrody. Pomocí měření elektrických veličin bylo ukázáno použití doutnavého režimu. Mechanické vlastnosti tenkých vrstev byly určeny indentačními technikami. Vrstvy byly transparentní ve viditelné oblasti spektra.
Návaznosti
| GA202/06/1473, projekt VaV |
|