J 2006

Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films

HOLÝ, Václav a Stanislav DANIŠ

Základní údaje

Originální název

Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films

Název česky

Difúzní rtg rozptyl na tenkých vrstvách GaN/SiC

Autoři

HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant) a Stanislav DANIŠ (203 Česká republika)

Vydání

Zeitschrift für Kristallographie, 2006, 0044-2968

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.897

Kód RIV

RIV/00216224:14310/06:00018331

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000238607800025

Klíčová slova anglicky

Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films
Změněno: 12. 2. 2007 14:17, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films

Česky

Difúzní rtg rozptyl na tenkých vrstvách GaN/SiC

Návaznosti

MSM0021620834, záměr
Název: Fyzika kondenzované fáze: nové materiály a technologie