J 2006

Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods

HOLÝ, Václav, Till H. METZGER a Luciana CAPELLO

Základní údaje

Originální název

Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods

Název česky

Strukturní vlastnosti křemíku po nízkoenergetické implantaci

Autoři

HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant), Till H. METZGER (276 Německo) a Luciana CAPELLO (380 Itálie)

Vydání

Journal of Applied Crystallography, 2006, 0021-8898

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 2.495

Kód RIV

RIV/00216224:14310/06:00018332

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000239147800013

Klíčová slova anglicky

Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods
Změněno: 12. 2. 2007 14:17, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods

Česky

Strukturní vlastnosti křemíku po nízkoenergetické implantaci

Návaznosti

MSM0021620834, záměr
Název: Fyzika kondenzované fáze: nové materiály a technologie