1.3 mum emission from InAs/GaAs quantum dots

KULDOVÁ, Karla, Vlastimil KŘÁPEK, Alice HOSPODKOVÁ, Jiří OSWALD, Jiří PANGRÁC, Karel MELICHAR, Eduard HULICIUS, Marek POTEMSKI a Josef HUMLÍČEK. 1.3 mum emission from InAs/GaAs quantum dots. physica status solidi (c). Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH, 2006, roč. 3, č. 11, s. 3811-3814. ISSN 1610-1642.

Základní údaje

• Originální název: 1.3 mum emission from InAs/GaAs quantum dots
• Název česky: Emise na 1.3 mikrometru z InAs/GaAs kvantových teček
• Autoři: KULDOVÁ, Karla (203 Česká republika), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika, garant), Alice HOSPODKOVÁ (203 Česká republika), Jiří OSWALD (203 Česká republika), Jiří PANGRÁC (203 Česká republika), Karel MELICHAR (203 Česká republika), Eduard HULICIUS (203 Česká republika), Marek POTEMSKI (250 Francie) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika).
• Vydání: physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2006, 1610-1642.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Nizozemské království
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/06:00018456
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Klíčová slova anglicky: quantum dots; InAs/GaAs; magnetophotoluminescence
• Štítky: InAs/GaAs, magnetophotoluminescence, quantum dots
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

We report here the results of our photoluminescence study of a series of single quantum dot layer structures containing InxGa1–xAs strain reducing layers with different In concentration (from 0 % to 29 %), prepared by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. These structures display a strong red shift of photoluminescence maxima from 1.25 mum to 1.45 mum at 300 K with increased In content in the ternary layer. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energydependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots.

Anotace česky

We report here the results of our photoluminescence study of a series of single quantum dot layer structures containing InxGa1–xAs strain reducing layers with different In concentration (from 0 % to 29 %), prepared by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. These structures display a strong red shift of photoluminescence maxima from 1.25 mum to 1.45 mum at 300 K with increased In content in the ternary layer. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energydependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots.

Návaznosti

• GA202/06/0718, projekt VaV: Název: Inženýrství kvantových teček

Investor: Grantová agentura ČR, Inženýrství kvantových teček

• KJB101630601, projekt VaV: Název: Morfologie kvantových teček a její vliv na elektronovou strukturu

Investor: Akademie věd ČR, Morfologie kvantových teček a její vliv na elektronovou strukturu

• MSM0021622410, záměr: Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur