HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED
| MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Günther BAUER, Claudiu FALUB a Detlev GRÜTZMACHER. HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED. In XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2005. 2005. |
|
Další formáty:
BibTeX
LaTeX
RIS
|
| Základní údaje | |
|---|---|
| Originální název | HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED |
| Název česky | Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti |
| Autoři | MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Günther BAUER (40 Rakousko), Claudiu FALUB (642 Rumunsko) a Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo). |
| Vydání | XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2005, 2005. |
| Další údaje | |
|---|---|
| Originální jazyk | angličtina |
| Typ výsledku | Konferenční abstrakt |
| Obor | 10302 Condensed matter physics |
| Stát vydavatele | Polsko |
| Utajení | není předmětem státního či obchodního tajemství |
| Kód RIV | RIV/00216224:14310/05:00020143 |
| Organizační jednotka | Přírodovědecká fakulta |
| Klíčová slova anglicky | diffraction; diffusion; x-ray reflectivity |
| Štítky | diffraction, Diffusion, x-ray reflectivity |
| Příznaky | Mezinárodní význam |
| Změnil | Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 25. 3. 2010 13:14. |
| Anotace |
|---|
| We have investigated annealing behavior of strain compensated Si/SiGe MQW structures with different multilayer periods, grown by molecular beam epitaxy on Si0.75Ge0.25 pseudo-substrates. |
| Anotace česky |
|---|
| Studovali jsme chování deformačně kompenzovaných multivrstevnatých struktur Si/SiGe při žíhání s rozdílnými periodami multivrstvy, vypěstované molakulární svazkovou epitaxí na Si0.75Ge0.25 pseudo-substrátech. |
| Návaznosti | |
|---|---|
| GP202/05/P286, projekt VaV | Název: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu |
| Investor: Grantová agentura ČR, Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu | |
| MSM0021622410, záměr | Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
| Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur | |
VytisknoutZobrazeno: 20. 4. 2024 04:35