ELIÁŠ, Marek, Pavel SOUČEK a Petr VAŠINA. Influence of N2 and CH4 on deposition rate of boron based thin films prepared by magnetron sputtering. In Book of Extended Abstracts of 2nd Central European Symposium on Plasma Chemistry. Brno: Masaryk University, 2008, s. 105.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Influence of N2 and CH4 on deposition rate of boron based thin films prepared by magnetron sputtering
Název česky Vliv N2 a CH4 na depozicní rychlos borových vrstev připravených magnetronovým naprašováním
Autoři ELIÁŠ, Marek (203 Česká republika), Pavel SOUČEK (203 Česká republika) a Petr VAŠINA (203 Česká republika, garant).
Vydání Brno, Book of Extended Abstracts of 2nd Central European Symposium on Plasma Chemistry, s. 105-105, 2008.
Nakladatel Masaryk University
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/08:00025120
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky hybrid deposition process; hysteresis
Štítky hybrid deposition process, hysteresis
Změnil Změnil: prof. Mgr. Petr Vašina, Ph.D., učo 21782. Změněno: 23. 12. 2008 11:07.
Anotace
Influence of N2 and CH4 on deposition rate of boron based thin films prepared by magnetron sputtering, proceeding
Anotace česky
Vliv N2 a CH4 na depozicní rychlos borových vrstev připravených magnetronovým naprašováním, sborník
Návaznosti
GP202/08/P038, projekt VaVNázev: Studium chování hybridního depozičního procesu a jeho využití pro přípravu tenkých vrstev
Investor: Grantová agentura ČR, Studium chování hybridního depozičního procesu a jeho využití pro přípravu tenkých vrstev
MSM0021622411, záměrNázev: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VytisknoutZobrazeno: 8. 5. 2024 21:06