2009
STACKING FAULTS AND DISLOCATION DISSOCIATION IN MoSi2
ČÁK, Miroslav; Mojmír ŠOB; Václav PAIDAR a Václav VÍTEKZákladní údaje
Originální název
STACKING FAULTS AND DISLOCATION DISSOCIATION IN MoSi2
Název česky
Vrstevné chyby a rozštěpení dislokací v MoSi2
Autoři
ČÁK, Miroslav; Mojmír ŠOB; Václav PAIDAR a Václav VÍTEK
Vydání
Warrendale, PA, Advanced Intermetallic-Based Alloys for Extreme Environment and Energy Applications, od s. 1128-U07-10-1; 6, 6 s. 2009
Nakladatel
Materials Research Society
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání
tištěná verze "print"
Odkazy
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/09:00028654
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
978-1-60511-100-1
Klíčová slova česky
vrstevné chyby; rozštěpení dislokací; disilicid molybdenu
Klíčová slova anglicky
stacking faults; dislocation dissociation; molybdenum disilicide
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 5. 2. 2013 16:42, prof. RNDr. Mojmír Šob, DrSc.
V originále
We present the g-surfaces for the (013) and (110) planes calculated by employing the density functional based method as implemented in the VASP code. While there is only one minimum on the (110) g-surface, three distinct minima have been found on the (013) g-surface. These minima, which determine three types of possible stacking faults on the (013) plane, are not symmetry dictated and thus the fault vectors are to a great extent controlled by the details of the interatomic bonding in MoSi2
Česky
Na základě teorie funkcionálu hustoty jsou vypočteny gamma-plochy pro roviny (013) a(110). Gamma-plocha na rovině (110) vykazuje jen jedno minimum, ale na gamma-ploše pro rovinu (013) byla nalezana tři minima. Tato minima na rovině (013) určují tři různé vrstevné chyby, které nenelze stanovit ze symetrie struktury a vektory těchto vrstevných chyb jsou tedy do značné míry určeny detaily meziatomové vazby v MoSi2.
Návaznosti
| GA202/09/1786, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|