2009
Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing
KUBĚNA, Josef, Alan KUBĚNA, Ondřej CAHA a Mojmír MEDUŇAZákladní údaje
Originální název
Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing
Název česky
Analýza kinetiky nukleace vakancí a intersticiálů v Si deskách během rychlého teplotního žíhání
Autoři
KUBĚNA, Josef (203 Česká republika, garant), Alan KUBĚNA (203 Česká republika), Ondřej CAHA (203 Česká republika) a Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika)
Vydání
J.Phys.: Condens. Matter, Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2009, 0953-8984
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.964
Kód RIV
RIV/00216224:14310/09:00029731
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000263493500026
Klíčová slova česky
křemík; vacance; intersticiály; nukleace
Klíčová slova anglicky
Silicon; vacancies; Interstitials; nucleation
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 4. 1. 2010 17:06, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
The kinetics of the vacancy and self interstitial processes in Si wafers are studied in this paper. Detailed insight into nucleation processes, out diffusion and vacancy interstitial recombination during the RTA leads to a new model of interaction between vacancies and oxygen.
Česky
V této publikaci je studována kinetika procesů vakancí a self-intersticiálů v Si deskaách. Detailní vhled do procesu nukleace, out difuze a rekombinace vakancí a intersticiálů během procesu RTA vede k novému modelu interakce mezi vakancemi a kyslíkem.
Návaznosti
| GA202/09/1013, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|