2009
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC
SLÁDEK, Petr, Pavel SŤAHEL a Vilma BURŠÍKOVÁZákladní údaje
Originální název
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC
Název česky
Strukturální a poruchové změny hydrogenovaných SiGe vrstev vlivem žíhání do 600degC
Autoři
Vydání
23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2009
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Konferenční abstrakt
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
tenké vrstvy; SiGe; vodík; mechanické vlastnosti
Klíčová slova anglicky
thin films; SiGe; hydrogen; mechanical properties
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 1. 2010 16:53, doc. RNDr. Petr Sládek, CSc.
V originále
In order to better understand the effects of the hydrogen incorporation on the defects and the disorder in the un-doped nano/microcrystalline SiGe:H, we performed a comparative study on samples deposited under different plasma conditions. With variation of the pressure, we were able to change the structure of SiGe:H films. We have used the combination of the infrared spectroscopy, CPM, PDS and thermal desorption measurements to study the thermal dependence of defect density, disorder, as well as hydrogen concentration. The film mechanical properties were test by depth sensing indentation technique. The results showing a different hydrogen bonding with the change of deposition conditions are interpreted as a whole by terms of the specific local hydrogen bond-ing environment, related to different growth mechanism.
Česky
Pro lepší pochopení role vodíku na poruchy a uspořádanost nedopovaných nano a mikrokrystalických vrstev SiGe:H jsme zkoumali závislost mechanických a optoelektrických vlastností na depozičních podmínkách, zejména tlaku v plasmatu. \výsledky ukazují na různé chování vodíku v závislosti na růstovém mechanismu tenkých vrstev.
Návaznosti
| KAN311610701, projekt VaV |
|