J 2010

Profiling N-Type Dopants in Silicon

HOVORKA, Miloš, Filip MIKA, Petr MIKULÍK a Luděk FRANK

Základní údaje

Originální název

Profiling N-Type Dopants in Silicon

Autoři

HOVORKA, Miloš (203 Česká republika), Filip MIKA (203 Česká republika), Petr MIKULÍK (203 Česká republika, garant, domácí) a Luděk FRANK (203 Česká republika)

Vydání

Materials Transactions, 2010, 1345-9678

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Japonsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 0.787

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00043560

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000276538900008

Klíčová slova česky

křemík; dopant; fotoemisní elektronová mikroskopie; rastrovací elektronová mikroskopie

Klíčová slova anglicky

silicon; dopant contrast; photoemission electron microscopy; scanning electron microscopy

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 25. 7. 2013 11:40, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Variously doped n-type structures (dopant concentration between 1.5*10^16 cm^-3 and 1.5*10^19 cm^-3) on a lightly doped p-type silicon substrate (doped to 1.9*10^15 cm^-3) have been examined by a photoemission electron microscope equipped with a high-pass energy filter and by an ultra-high vacuum scanning low energy electron microscope. High contrast have been observed between the n-type areas and the p-type substrate and its monotone dependency on the doping level of structures has been manifested. The relation between the energy spectra of photoelectrons and the doping level has been studied, too. The scanning electron microscope images obtained with the landing energy of the primary beam in the low keV range exhibit contrasts similar to those appearing in the full threshold photoemission micrographs.

Česky

Dotované struktury n-typu (koncentrace dopantu mezi 1.5*10^16 cm-3 a 1.5*10^19 cm^-3) na slabě dotovaném křemíku p-typu (dotace 1.9*10^15 cm^-3) byly zkoumány fotoemisním elektronovým mikroskopem s energiovým filtrem typu horní propust a UHV rastrovacím elektronovým mikroskopem. Byl získán vysoký kontrast mezi jednotlivými oblastmi, který vzrůstá s množstvím dopantu v n-oblastech.

Návaznosti

MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur