Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as
an efficient tool for the optical characterisation of
chalcogenide thin films

J 2009

Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Ivan OHLÍDAL, Martin HRDLIČKA, Martin PAVLIŠTA et. al.

Základní údaje

Originální název

Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films

Název česky

Kombinovaná metoda spektroskopické elipsometrie a fotometrie jako účinný nástroj pro optickou charakterizaci chakogenidových vrstev

Autoři

FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), David NEČAS (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika), Martin HRDLIČKA (203 Česká republika), Martin PAVLIŠTA (203 Česká republika), Miloslav FRUMAR (203 Česká republika) a Miloslav OHLÍDAL (203 Česká republika)

Vydání

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Bucharest, INOE & INFM, 2009, 1454-4164

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Rumunsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 0.433

Kód RIV

RIV/00216224:14310/09:00030131

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000273490800002

Klíčová slova česky

Ellipsometry; Photometry; Chalcogenige; Thin film

Klíčová slova anglicky

elipsometrie; spektrofotometrie; chalkogenidy; tenké vrstvy

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 12. 4. 2010 14:13, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.

Anotace

V originále

The optical characterisation of the As33Se67 and Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films is carried out using the combined method of VASE and SR. This method permits to determine both structural and dispersion parameters describing the thin films exhibiting various defects. The structural model is based on including roughness, overlayers and thickness non-uniformity. The dispersion models are based on parametrisation of the joint density of states. These models, unlike the classical models derived from the Lorentz oscillator model, can describe finite bands which allows to introduce a parameter proportional to the density of electrons. It is shown that this method enables to investigate quantitatively changes in the electronic structure of the materials caused by phase transitions which is demonstrated on the Ge2Sb2Te5. It is shown that the combined method with including true structural and dispersion models is a powerful tool for the optical characterisation of thin films exhibiting disordered structure.

Návaznosti

FT-TA3/142, projekt VaV

Název: Analýza optických vlastností solárních článků.

Investor: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR, Analýza optických vlastností solárních článků

MSM0021622411, záměr

Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

MSM0021630518, záměr

Název: Simulační modelování mechatronických soustav

Citovat

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Ivan OHLÍDAL, Martin HRDLIČKA, Martin PAVLIŠTA, Miloslav FRUMAR a Miloslav OHLÍDAL. Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Bucharest: INOE & INFM, 2009, roč. 11, č. 12, s. 1891-1898. ISSN 1454-4164.

@article{879780,
   author = {Franta, Daniel and Nečas, David and Ohlídal, Ivan and Hrdlička, Martin and Pavlišta, Martin and Frumar, Miloslav and Ohlídal, Miloslav},
   article_location = {Bucharest},
   article_number = {12},
   keywords = {elipsometrie; spektrofotometrie; chalkogenidy; tenké vrstvy},
   language = {eng},
   issn = {1454-4164},
   journal = {Journal of Optoelectronics and Advanced Materials},
   title = {Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films},
   volume = {11},
   year = {2009}
}

TY  - JOUR
ID  - 879780
AU  - Franta, Daniel - Nečas, David - Ohlídal, Ivan - Hrdlička, Martin - Pavlišta, Martin - Frumar, Miloslav - Ohlídal, Miloslav
PY  - 2009
TI  - Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films
JF  - Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
VL  - 11
IS  - 12
SP  - 1891-1898
EP  - 1891-1898
PB  - INOE & INFM
SN  - 14544164
KW  - elipsometrie
KW  - spektrofotometrie
KW  - chalkogenidy
KW  - tenké vrstvy
N2  - The optical characterisation of the As33Se67 and Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films is carried out using the combined method of VASE and SR. This method permits to determine both structural and dispersion parameters describing the thin films exhibiting various defects. The structural model is based on including roughness, overlayers and thickness non-uniformity. The dispersion models are based on parametrisation of the joint density of states. These models, unlike the classical models derived from the Lorentz oscillator model, can describe finite bands which allows to introduce a parameter proportional to the density of electrons. It is shown that this method enables to investigate quantitatively changes in the electronic structure of the materials caused by phase transitions which is demonstrated on the Ge2Sb2Te5. It is shown that the combined method with including true structural and dispersion models is a powerful tool for the optical characterisation of thin films exhibiting disordered structure.
ER  -

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Ivan OHLÍDAL, Martin HRDLIČKA, Martin PAVLIŠTA, Miloslav FRUMAR a Miloslav OHLÍDAL. Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films. \textit{Journal of Optoelectronics and Advanced Materials}. Bucharest: INOE \&{} INFM, 2009, roč.~11, č.~12, s.~1891-1898. ISSN~1454-4164.

Podrobný výpis o publikaci