2010
Effect of strain on the growth of InAs/GaSb superlattices: An x-ray diffraction study
LI, Jianhua; Donna W. STOKES; J. C. WICKETT; Ondřej CAHA; Kevin E. BASSLER et al.Základní údaje
Originální název
Effect of strain on the growth of InAs/GaSb superlattices: An x-ray diffraction study
Název česky
Vliv deformace na růst InAs/GaSb supermřížek: studie rtg. difrakcí
Autoři
LI, Jianhua; Donna W. STOKES; J. C. WICKETT; Ondřej CAHA; Kevin E. BASSLER a Simon C. MOSS
Vydání
Journal of Applied Physics, USA, American Institute of Physics, 2010, 0021-8979
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.079
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00044577
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
Klíčová slova česky
vrstevné supemřížky; difuze; mřížka
Klíčová slova anglicky
layer superlattices; diffusion; lattice
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 11. 1. 2011 12:55, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
V originále
We present a detailed x-ray diffraction study of the strain in InAs/GaSb superlattices grown by molecular beam epitaxy. The superlattices were grown with either InSb or GaAs interfaces (IFs). We show that the superlattice morphology, either planar or nanostructured, is dependent on the chemical bonds at the heterointerfaces. In both cases, the misfit strain has been determined for the superlattice layers and the IFs. We also determined how the magnitude and sign of this strain is crucial in governing the morphology of the superlattice. Our analysis suggests that the growth of self-assembled nanostructures may be extended to many systems generally thought to have too small a lattice mismatch.
Česky
Práce se detailně zabývá rtg studiem napětí v InAs/GaSb supermřížkách připravených metodou molekulární epitaxe. Supermřížky byly připraveny s s rozhraními buď InSb nebo GaAs. Ukazujeme, že morfologie supermřížek, planární nebo nanostrukturovaná, závisí na chemických vazbách na rozhraních.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|