KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer. Journal of Physics: Conference Series. Institute of Physics Publishing, 2010, roč. 244, č. 012086, 4 s. ISSN 1742-6588.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer
Autoři KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika, domácí), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Journal of Physics: Conference Series, Institute of Physics Publishing, 2010, 1742-6588.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Velká Británie
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Kód RIV RIV/00216224:14310/10:00045417
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000294907400086
Klíčová slova anglicky Quantum Dots; Semiconductor Compounds; Mechanical properties of nanoscale systems
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr., učo 673. Změněno: 28. 4. 2011 15:14.
Anotace
We present results of our 8-band k.p calculations of the emission energy of InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered with GaAs1-xSbx strain reducing overlayer (SRO). In agreement with previous experimental observations we find a strong red shift of the emission with increasing Sb content. We explain this effect by: (1) The lowering of the valence band offset between the QD and the SRO with increasing Sb content resulting in the type-II QDs with holes confined in the SRO for Sb concentration above 14%. (2) The reduction of compressive strain inside the QDs. The contributions of these mechanisms to the total red shift are estimated and compared. For realistic shape and size of the QD and a realistic value of the SRO thickness the previously measured photoluminescence data are reproduced with fairly good accuracy.
Návaznosti
GA202/09/0676, projekt VaVNázev: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Investor: Grantová agentura ČR, Standardní projekty
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Výzkumné záměry
MUNI/A/1047/2009, interní kód MUNázev: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
Investor: Masarykova univerzita, Grantová agentura MU, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
VytisknoutZobrazeno: 29. 7. 2021 02:45