Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with
GaAsSb strain reducing overlayer

J 2010

Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK; Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK

Základní údaje

Originální název

Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK; Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK

Vydání

Journal of Physics: Conference Series, Institute of Physics Publishing, 2010, 1742-6588

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00045417

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000294907400086

Klíčová slova anglicky

Quantum Dots; Semiconductor Compounds; Mechanical properties of nanoscale systems

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 28. 4. 2011 15:14, prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.

Anotace

V originále

We present results of our 8-band k.p calculations of the emission energy of InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered with GaAs1-xSbx strain reducing overlayer (SRO). In agreement with previous experimental observations we find a strong red shift of the emission with increasing Sb content. We explain this effect by: (1) The lowering of the valence band offset between the QD and the SRO with increasing Sb content resulting in the type-II QDs with holes confined in the SRO for Sb concentration above 14%. (2) The reduction of compressive strain inside the QDs. The contributions of these mechanisms to the total red shift are estimated and compared. For realistic shape and size of the QD and a realistic value of the SRO thickness the previously measured photoluminescence data are reproduced with fairly good accuracy.

Návaznosti

GA202/09/0676, projekt VaV

Název: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

Investor: Grantová agentura ČR, Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

MUNI/A/1047/2009, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

Citovat

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK; Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer. Journal of Physics: Conference Series. Institute of Physics Publishing, 2010, roč. 244, č. 012086, 4 s. ISSN 1742-6588.

@article{908071,
   author = {Klenovský, Petr and Křápek, Vlastimil and Munzar, Dominik and Humlíček, Josef},
   article_number = {012086},
   keywords = {Quantum Dots; Semiconductor Compounds; Mechanical properties of nanoscale systems},
   language = {eng},
   issn = {1742-6588},
   journal = {Journal of Physics: Conference Series},
   title = {Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer},
   url = {http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012086/},
   volume = {244},
   year = {2010}
}

TY  - JOUR
ID  - 908071
AU  - Klenovský, Petr - Křápek, Vlastimil - Munzar, Dominik - Humlíček, Josef
PY  - 2010
TI  - Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer
JF  - Journal of Physics: Conference Series
VL  - 244
IS  - 012086
PB  - Institute of Physics Publishing
SN  - 17426588
KW  - Quantum Dots
KW  - Semiconductor Compounds
KW  - Mechanical properties of nanoscale systems
UR  - http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012086/
N2  - We present results of our 8-band k.p calculations of the emission energy of InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered with GaAs1-xSbx strain reducing overlayer (SRO). In agreement with previous experimental observations we find a strong red shift of the emission with increasing Sb content. We explain this effect by: (1) The lowering of the valence band offset between the QD and the SRO with increasing Sb content resulting in the type-II QDs with holes confined in the SRO for Sb concentration above 14%. (2) The reduction of compressive strain inside the QDs. The contributions of these mechanisms to the total red shift are estimated and compared. For realistic shape and size of the QD and a realistic value of the SRO thickness the previously measured photoluminescence data are reproduced with fairly good accuracy.
ER  -

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK; Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer. \textit{Journal of Physics: Conference Series}. Institute of Physics Publishing, 2010, roč.~244, č.~012086, 4 s. ISSN~1742-6588.

Přehled o publikaci