2010
Monitoring of PVD, PECVD and etching plasmas using Fourier components of RF voltage
DVOŘÁK, Pavel; Petr VAŠINA; Vilma BURŠÍKOVÁ a Radek ŽEMLIČKAZákladní údaje
Originální název
Monitoring of PVD, PECVD and etching plasmas using Fourier components of RF voltage
Název česky
Monitoruvání PVD, PECVD a leptacích plazmových procesů pomocí Fourierových komponent vf. napětí
Autoři
Vydání
Plasma Physics and Controlled Fusion, Bristol,UK, Institute of Physics Publishing, 2010, 0741-3335
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.466
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00046208
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
EID Scopus
Klíčová slova česky
plazma; vyšší harmonické frekvence; depozice; reaktivní magnetronové naprašování; diamantu podobné vrstvy
Klíčová slova anglicky
plasma; higher harmonic frequencies; capacitively coupled discharge; reactive magnetron sputtering; DLC
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 29. 6. 2020 13:23, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.
V originále
Fourier components of discharge voltages were measured in two different reactive plasmas and their response to the creation or destruction of a thin film was studied. In reactive magnetron sputtering the effect of transition from the metallic to the compound mode accompanied by creation of a compound film on the sputtered target was observed. Further, deposition and etching of a DLC film and their effects on amplitudes of Fourier components of the discharge voltage were studied. It was shown that the Fourier components, including higher harmonic frequencies, sensitively react to the presence of a film. Therefore, they can be used as a powerful tool for the monitoring of deposition and etching processes. It was demonstrated that the behaviour of the Fourier components was caused in both experiments by the presence of the film. The behaviour of the Fourier components can be explained by the difference between coefficients of secondary electron emission of the film and its underlying material.
Česky
Fourierovy složky výbojového napětí a napětí nekompenzované sondy byly použity k monitorování dvou různých depozičních procesů. Byly testovány fyzikální důvody reakce Fourierových složek na přítomnost vrstvy.
Návaznosti
| GA202/07/1669, projekt VaV |
| ||
| GP202/08/P038, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|