J 2010

Monitoring of PVD, PECVD and etching plasmas using Fourier components of RF voltage

DVOŘÁK, Pavel; Petr VAŠINA; Vilma BURŠÍKOVÁ a Radek ŽEMLIČKA

Základní údaje

Originální název

Monitoring of PVD, PECVD and etching plasmas using Fourier components of RF voltage

Název česky

Monitoruvání PVD, PECVD a leptacích plazmových procesů pomocí Fourierových komponent vf. napětí

Vydání

Plasma Physics and Controlled Fusion, Bristol,UK, Institute of Physics Publishing, 2010, 0741-3335

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 2.466

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00046208

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

EID Scopus

Klíčová slova česky

plazma; vyšší harmonické frekvence; depozice; reaktivní magnetronové naprašování; diamantu podobné vrstvy

Klíčová slova anglicky

plasma; higher harmonic frequencies; capacitively coupled discharge; reactive magnetron sputtering; DLC

Příznaky

Mezinárodní význam
Změněno: 29. 6. 2020 13:23, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.

Anotace

V originále

Fourier components of discharge voltages were measured in two different reactive plasmas and their response to the creation or destruction of a thin film was studied. In reactive magnetron sputtering the effect of transition from the metallic to the compound mode accompanied by creation of a compound film on the sputtered target was observed. Further, deposition and etching of a DLC film and their effects on amplitudes of Fourier components of the discharge voltage were studied. It was shown that the Fourier components, including higher harmonic frequencies, sensitively react to the presence of a film. Therefore, they can be used as a powerful tool for the monitoring of deposition and etching processes. It was demonstrated that the behaviour of the Fourier components was caused in both experiments by the presence of the film. The behaviour of the Fourier components can be explained by the difference between coefficients of secondary electron emission of the film and its underlying material.

Česky

Fourierovy složky výbojového napětí a napětí nekompenzované sondy byly použity k monitorování dvou různých depozičních procesů. Byly testovány fyzikální důvody reakce Fourierových složek na přítomnost vrstvy.

Návaznosti

GA202/07/1669, projekt VaV
Název: Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích
Investor: Grantová agentura ČR, Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích
GP202/08/P038, projekt VaV
Název: Studium chování hybridního depozičního procesu a jeho využití pro přípravu tenkých vrstev
Investor: Grantová agentura ČR, Studium chování hybridního depozičního procesu a jeho využití pro přípravu tenkých vrstev
MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek