2010
X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si
CAHA, Ondřej; Mojmír MEDUŇA; Silvie BERNATOVÁ; Jiří RŮŽIČKA; Petr MIKULÍK et al.Základní údaje
Originální název
X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si
Název česky
Studie rtg rozptylu na kyslíkových precipitátech v CZ Si
Autoři
CAHA, Ondřej; Mojmír MEDUŇA; Silvie BERNATOVÁ; Jiří RŮŽIČKA; Petr MIKULÍK; Jiří BURŠÍK; Milan SVOBODA a S. BERNSTORFF
Vydání
2010
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Konferenční abstrakt
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00046556
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
978-80-254-7361-0
Klíčová slova anglicky
x-ray; silicon; defects
Změněno: 23. 1. 2012 15:58, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
V originále
Two x-ray diffraction methods were used for characterization of the oxide precipitates in Czochralski silicon series of samples. The maping of the diffuse scattering around reciprocal lattice point in Bragg geometry and the simultaneous measurement of the diffracted and transmitted beam intensity in the Laue diffraction geometry.
Česky
Dvě difrakční metody byly použity pro charakterizaci kyslíkových precipitátů v sérii vzorků CZ křemíku.
Návaznosti
| GA202/09/1013, projekt VaV |
| ||
| GP202/09/P410, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|