a 2010

Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM

SVOBODA, Milan, Jiří BURŠÍK, Mojmír MEDUŇA, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA et. al.

Základní údaje

Originální název

Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM

Název česky

Inženýrství defenktů v CZ Si studovaném pomocí TEM

Autoři

SVOBODA, Milan (203 Česká republika, garant), Jiří BURŠÍK (203 Česká republika), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, domácí), Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí) a Josef KUBĚNA (203 Česká republika, domácí)

Vydání

2010

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Konferenční abstrakt

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Brazílie

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00046560

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-85-63273-06-2

Klíčová slova anglicky

oxygen precipitates; silicon; electron microscopy
Změněno: 19. 1. 2012 18:29, RNDr. Jiří Buršík, DSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

As a part of a complex study of nucleation and growth of oxygen precipitates in Czochralski-grown silicon this work reports our latest results obtained by TEM.

Česky

Jako součást složité studie nukleace a růstu kyslíkových precipitátů v CZ křemíku, tato práce popisuje výsledky získané z transmisní elektronové mikroskopie.

Návaznosti

GA202/09/1013, projekt VaV
Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur