Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
SVOBODA, Milan, Jiří BURŠÍK, Mojmír MEDUŇA, Ondřej CAHA a Josef KUBĚNA. Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM. 2010. ISBN 978-85-63273-06-2. |
Další formáty:
BibTeX
LaTeX
RIS
|
Základní údaje | |
---|---|
Originální název | Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM |
Název česky | Inženýrství defenktů v CZ Si studovaném pomocí TEM |
Autoři | SVOBODA, Milan (203 Česká republika, garant), Jiří BURŠÍK (203 Česká republika), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, domácí), Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí) a Josef KUBĚNA (203 Česká republika, domácí). |
Vydání | 2010. |
Další údaje | |
---|---|
Originální jazyk | angličtina |
Typ výsledku | Konferenční abstrakt |
Obor | 10302 Condensed matter physics |
Stát vydavatele | Brazílie |
Utajení | není předmětem státního či obchodního tajemství |
Kód RIV | RIV/00216224:14310/10:00046560 |
Organizační jednotka | Přírodovědecká fakulta |
ISBN | 978-85-63273-06-2 |
Klíčová slova anglicky | oxygen precipitates; silicon; electron microscopy |
Změnil | Změnil: RNDr. Jiří Buršík, DSc., učo 54857. Změněno: 19. 1. 2012 18:29. |
Anotace |
---|
As a part of a complex study of nucleation and growth of oxygen precipitates in Czochralski-grown silicon this work reports our latest results obtained by TEM. |
Anotace česky |
---|
Jako součást složité studie nukleace a růstu kyslíkových precipitátů v CZ křemíku, tato práce popisuje výsledky získané z transmisní elektronové mikroskopie. |
Návaznosti | |
---|---|
GA202/09/1013, projekt VaV | Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku |
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku | |
MSM0021622410, záměr | Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
VytisknoutZobrazeno: 20. 9. 2024 12:52