SLÁDEK, Petr, Vilma BURŠÍKOVÁ a Pavel SŤAHEL. Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev. In M.Můčková. Sborník příspěvků 5. České fotovoltaické konference. Brno: Czech RE Agency, o.p.s., 2011, s. 50-54. ISBN 978-80-254-8906-2.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev
Název anglicky Role of hydrogen on structural changes in SiGe:H films
Autoři SLÁDEK, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí) a Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí).
Vydání Brno, Sborník příspěvků 5. České fotovoltaické konference, od s. 50-54, 5 s. 2011.
Nakladatel Czech RE Agency, o.p.s.
Další údaje
Originální jazyk čeština
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání tištěná verze "print"
Kód RIV RIV/00216224:14410/11:00049408
Organizační jednotka Pedagogická fakulta
ISBN 978-80-254-8906-2
Klíčová slova česky vodík; tenké vrstvy; SiGe
Klíčová slova anglicky hydrogen; thin films; SiGe
Změnil Změnila: doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D., učo 2418. Změněno: 26. 3. 2013 09:05.
Anotace
Příspěvek je zaměřen na studium vlivu role vodíku na vlastnosti tenkých vrstev SiGe:H. Pro zjištění optoelektronických vlastností vrstev byly použity metody IČ, PDS, CPM, a dynamická intendační metoda pro stanovení mechanických vlastností. Navíc byly vzorky podrobeny měření termální desorpce vodíku. Výsledky ukazují na různé zabudování vodíku se změnami depozičních podmínek.
Anotace anglicky
The paper focuses on studying the impact of the role of hydrogen on the properties of thin layers of SiGe: H. To determine the optoelectronic properties of films we used IR, PDS, CPM and intendation dynamic method for determining the mechanical properties. In addition, samples were subjected to measurements of the thermal desorption of hydrogen. The results indicate a different incorporation of hydrogen in films with variation of the deposition conditions.
Návaznosti
KAN311610701, projekt VaVNázev: Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie
Investor: Akademie věd ČR, Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie
VytisknoutZobrazeno: 5. 5. 2024 14:05