HOLÝ, Václav, Xavier MARTÍ, Lukáš HORÁK, Ondřej CAHA, Vít NOVÁK, Miroslav CUKR a Tobias Urs SCHÜLLI. Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction. Applied Physics Letters. USA: American Institute of Physics, 2010, roč. 97, č. 18, s. 181913-181915. ISSN 0003-6951. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3514240.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction
Název česky Hustota Mn intersticiálů v GaMnAs určená anomální rtg difrakcí
Autoři HOLÝ, Václav (203 Česká republika), Xavier MARTÍ (724 Španělsko), Lukáš HORÁK (203 Česká republika), Ondřej CAHA (203 Česká republika, garant, domácí), Vít NOVÁK (203 Česká republika), Miroslav CUKR (203 Česká republika) a Tobias Urs SCHÜLLI (276 Německo).
Vydání Applied Physics Letters, USA, American Institute of Physics, 2010, 0003-6951.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.841
Kód RIV RIV/00216224:14310/10:00049717
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.3514240
UT WoS 000283934100025
Klíčová slova česky feromagnetické polovodičů; anomální rtg difrakce
Klíčová slova anglicky ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction
Štítky AKb, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 24. 6. 2020 10:20.
Anotace
Densities of Mn ions in epitaxial layers of (Ga,Mn)As were determined by anomalous x-ray diffraction, i.e., by a measurement of the dependence of the intensity of weak diffraction 002 on the photon energy around the MnK absorption edge. From the measured data it was possible to determine the density of Mn ions in substitutional positions and the difference in the Mn densities in two possible interstitial positions in the GaAs lattice. The data confirm the previous finding that the density of Mn interstitials in centers of Ga tetrahedrons decrease during post-growth annealing.
Anotace česky
Hustota intersticiálů Mn v GaMnAs byla určena anomální rtg difrakcí, t.j. měřením závislosti intenzity slabé difrakce 002 na energii fotonu kolem K absorpční hrany Mn.
Návaznosti
GP202/09/P410, projekt VaVNázev: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 20:34