Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers
determined by anomalous x-ray diffraction

J 2010

Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

HOLÝ, Václav, Xavier MARTÍ, Lukáš HORÁK, Ondřej CAHA, Vít NOVÁK et. al.

Základní údaje

Originální název

Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

Název česky

Hustota Mn intersticiálů v GaMnAs určená anomální rtg difrakcí

Autoři

HOLÝ, Václav (203 Česká republika), Xavier MARTÍ (724 Španělsko), Lukáš HORÁK (203 Česká republika), Ondřej CAHA (203 Česká republika, garant, domácí), Vít NOVÁK (203 Česká republika), Miroslav CUKR (203 Česká republika) a Tobias Urs SCHÜLLI (276 Německo)

Vydání

Applied Physics Letters, USA, American Institute of Physics, 2010, 0003-6951

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.841

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00049717

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1063/1.3514240

UT WoS

000283934100025

Klíčová slova česky

feromagnetické polovodičů; anomální rtg difrakce

Klíčová slova anglicky

ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction

Štítky

AKb, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 24. 6. 2020 10:20, Mgr. Marie Šípková, DiS.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Densities of Mn ions in epitaxial layers of (Ga,Mn)As were determined by anomalous x-ray diffraction, i.e., by a measurement of the dependence of the intensity of weak diffraction 002 on the photon energy around the MnK absorption edge. From the measured data it was possible to determine the density of Mn ions in substitutional positions and the difference in the Mn densities in two possible interstitial positions in the GaAs lattice. The data confirm the previous finding that the density of Mn interstitials in centers of Ga tetrahedrons decrease during post-growth annealing.

Česky

Hustota intersticiálů Mn v GaMnAs byla určena anomální rtg difrakcí, t.j. měřením závislosti intenzity slabé difrakce 002 na energii fotonu kolem K absorpční hrany Mn.

Návaznosti

GP202/09/P410, projekt VaV

Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Citovat

HOLÝ, Václav, Xavier MARTÍ, Lukáš HORÁK, Ondřej CAHA, Vít NOVÁK, Miroslav CUKR a Tobias Urs SCHÜLLI. Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction. Applied Physics Letters. USA: American Institute of Physics, 2010, roč. 97, č. 18, s. 181913-181915. ISSN 0003-6951. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3514240.

@article{929699,
   author = {Holý, Václav and Martí, Xavier and Horák, Lukáš and Caha, Ondřej and Novák, Vít and Cukr, Miroslav and Schülli, Tobias Urs},
   article_location = {USA},
   article_number = {18},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1063/1.3514240},
   keywords = {ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction},
   language = {eng},
   issn = {0003-6951},
   journal = {Applied Physics Letters},
   title = {Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction},
   url = {https://doi.org/10.1063/1.3514240},
   volume = {97},
   year = {2010}
}

TY  - JOUR
ID  - 929699
AU  - Holý, Václav - Martí, Xavier - Horák, Lukáš - Caha, Ondřej - Novák, Vít - Cukr, Miroslav - Schülli, Tobias Urs
PY  - 2010
TI  - Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction
JF  - Applied Physics Letters
VL  - 97
IS  - 18
SP  - 181913
EP  - 181913
PB  - American Institute of Physics
SN  - 00036951
KW  - ferromagnetic semiconductos
KW  - anomal x-ray diffraction
UR  - https://doi.org/10.1063/1.3514240
L2  - https://doi.org/10.1063/1.3514240
N2  - Densities of Mn ions in epitaxial layers of (Ga,Mn)As were determined by anomalous x-ray diffraction, i.e., by a measurement of the dependence of the intensity of weak diffraction 002 on the photon energy around the MnK absorption edge. From the measured data it was possible to determine the density of Mn ions in substitutional positions and the difference in the Mn densities in two possible interstitial positions in the GaAs lattice. The data confirm the previous finding that the density of Mn interstitials in centers of Ga tetrahedrons decrease during post-growth annealing.
ER  -

HOLÝ, Václav, Xavier MARTÍ, Lukáš HORÁK, Ondřej CAHA, Vít NOVÁK, Miroslav CUKR a Tobias Urs SCHÜLLI. Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction. \textit{Applied Physics Letters}. USA: American Institute of Physics, 2010, roč.~97, č.~18, s.~181913-181915. ISSN~0003-6951. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3514240.

Podrobný výpis o publikaci