Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single
self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

J 2011

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

PLUMHOF, Johannes David; Vlastimil KŘÁPEK; Fei DING; K. D. JOENS; R. HAFENBRAK et al.

Základní údaje

Originální název

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

Autoři

PLUMHOF, Johannes David; Vlastimil KŘÁPEK; Fei DING; K. D. JOENS; R. HAFENBRAK; Petr KLENOVSKÝ; A. HERKLOTZ; K. DORR; P. MICHLER; Armando RASTELLI a Oliver G. SCHMIDT

Vydání

Physical Review B, USA, American Physical Society, 2011, 1098-0121

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.691

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/11:00049737

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302

UT WoS

000288160300001

Klíčová slova anglicky

ENTANGLED PHOTON PAIRS; SEMICONDUCTOR; SPIN

Štítky

AKR, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 7. 4. 2012 13:21, Ing. Andrea Mikešková

Anotace

V originále

We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.

Návaznosti

GA202/09/0676, projekt VaV

Název: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

Investor: Grantová agentura ČR, Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

MUNI/A/1047/2009, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

Citovat

PLUMHOF, Johannes David; Vlastimil KŘÁPEK; Fei DING; K. D. JOENS; R. HAFENBRAK; Petr KLENOVSKÝ; A. HERKLOTZ; K. DORR; P. MICHLER; Armando RASTELLI a Oliver G. SCHMIDT. Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots. Physical Review B. USA: American Physical Society, 2011, roč. 83, č. 12, s. "nestrankovano", 4 s. ISSN 1098-0121. Dostupné z: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302.

@article{932540,
   author = {Plumhof, Johannes David and Křápek, Vlastimil and Ding, Fei and Joens, K. D. and Hafenbrak, R. and Klenovský, Petr and Herklotz, A. and Dorr, K. and Michler, P. and Rastelli, Armando and Schmidt, Oliver G.},
   article_location = {USA},
   article_number = {12},
   doi = {https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302},
   keywords = {ENTANGLED PHOTON PAIRS; SEMICONDUCTOR; SPIN},
   language = {eng},
   issn = {1098-0121},
   journal = {Physical Review B},
   title = {Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots},
   url = {http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302},
   volume = {83},
   year = {2011}
}

TY  - JOUR
ID  - 932540
AU  - Plumhof, Johannes David - Křápek, Vlastimil - Ding, Fei - Joens, K. D. - Hafenbrak, R. - Klenovský, Petr - Herklotz, A. - Dorr, K. - Michler, P. - Rastelli, Armando - Schmidt, Oliver G.
PY  - 2011
TI  - Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
JF  - Physical Review B
VL  - 83
IS  - 12
SP  - "nestrankovano"
EP  - "nestrankovano"
PB  - American Physical Society
SN  - 10980121
KW  - ENTANGLED PHOTON PAIRS
KW  - SEMICONDUCTOR
KW  - SPIN
UR  - http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302
L2  - http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302
N2  - We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.
ER  -

PLUMHOF, Johannes David; Vlastimil KŘÁPEK; Fei DING; K. D. JOENS; R. HAFENBRAK; Petr KLENOVSKÝ; A. HERKLOTZ; K. DORR; P. MICHLER; Armando RASTELLI a Oliver G. SCHMIDT. Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots. \textit{Physical Review B}. USA: American Physical Society, 2011, roč.~83, č.~12, s.~''nestrankovano'', 4 s. ISSN~1098-0121. Dostupné z: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302.

Přehled o publikaci