ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Daniel FRANTA, David NEČAS, Vilma BURŠÍKOVÁ, Mihai George MURESAN, Vratislav PEŘINA a Christoph COBET. Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture. Thin Solid Films. Elsevier, 2011, roč. 519, č. 13, s. 4299-4308. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.021.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture
Autoři ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant, domácí), Daniel FRANTA (203 Česká republika, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Mihai George MURESAN (642 Rumunsko, domácí), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika, domácí) a Christoph COBET (276 Německo).
Vydání Thin Solid Films, Elsevier, 2011, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.890
Kód RIV RIV/00216224:14310/11:00049805
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.021
UT WoS 000290187100030
Klíčová slova anglicky Diamond-like carbon; Amorphous hydrogenated carbon; Optical properties; Band structure
Štítky AKR, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D., učo 1414. Změněno: 27. 3. 2013 09:08.
Anotace
The optical properties and structure of a-C:H films were modified by addition of nitrogen into the CH4/H2 deposition mixture. Three films prepared in capacitively coupled rf discharge were compared: (a) hydrogenated diamond like carbon film with hydrogen content of 34 % and indentation hardness of 21.7 GPa, (b) hard a-C:H:N film with nitrogen content of 13 % and indentation hardness of 18.5 GPa and (c) soft a-C:H:N film with nitrogen content of 10 % and indentation hardness of 6.7 GPa. It is shown how the parametrized density of states model describing dielectric response of electronic interband transitions can be applied to modified a-C:H:N and how it can be combined with correct treatment of transmittance measured in infrared range using additional Gaussian peaks in joint density of phonon states. This analysis resulted in determination of film dielectric function in wide spectral range (0.045-30 eV) and provided also information about the density of states of valence and conduction bands and lattice vibrations.
Návaznosti
FT-TA5/114, projekt VaVNázev: Vývoj technologie vytváření PECVD vrstev pro výrobu automobilové světelné techniky
Investor: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR, Vývoj technologie vytváření PECVD vrstev pro výrobu automobilové světelné techniky
GA202/07/1669, projekt VaVNázev: Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích
Investor: Grantová agentura ČR, Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích
GD104/09/H080, projekt VaVNázev: Plazmochemické procesy a jejich technologické aplikace
Investor: Grantová agentura ČR, Plazmochemické procesy a jejich technologické aplikace
MSM0021622411, záměrNázev: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VytisknoutZobrazeno: 9. 5. 2024 04:46