2011
Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques
MEDUŇA, Mojmír; Ondřej CAHA; Jiří RŮŽIČKA; Silvie BERNATOVÁ; Milan SVOBODA et. al.Základní údaje
Originální název
Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques
Autoři
Vydání
Solid State Phenomena, Trans Tech Publications, 2011, 1012-0394
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Švýcarsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.493 v roce 2005
Kód RIV
RIV/00216224:14740/11:00050319
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000303356300052
Klíčová slova česky
Czochralského křemík; kyslíkové precipitáty; rtg Laueho difrakce
Klíčová slova anglicky
Czochralski silicon; oxygen precipitates; x-ray Laue diffraction
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 4. 4. 2014 17:15, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
We report on study of oxygen precipitates grown in Czochralski silicon wafers investigated by x-ray diffraction in Bragg reflection geometry and Laue transmission geometry.
Česky
Cílem práce bylo studium kyslíkových precipitátů vyrostlých uvnitř desek Czochralského křemíku pomocí rtg difrakce v Braggově a Laueho geometrii na průchod.
Návaznosti
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| GA202/09/1013, projekt VaV |
| ||
| GP202/09/P410, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
| ||
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
|