2011
X-RAY LAUE DIFFRACTION STUDY OF OXYGEN PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
RŮŽIČKA, Jiří a Mojmír MEDUŇAZákladní údaje
Originální název
X-RAY LAUE DIFFRACTION STUDY OF OXYGEN PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
Název česky
Studie kyslíkových precipitátů v Czochralského křemíku pomocí rtg Laueho dofrakce
Autoři
RŮŽIČKA, Jiří (203 Česká republika, garant, domácí) a Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika)
Vydání
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, Czech Republic, Czech and Slovak Crystallographic Associ, 2011, 1211-5894
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/11:00050402
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
Czochralski křemík; kyslíkové precipitáty; rtg Laueho difrakce; statistická dynamická teorie difrakce
Klíčová slova anglicky
Czochralski silicon; oxygen precipitates; x-ray Laue diffraction; statistical dynamical theory of diffraction
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 23. 1. 2012 17:38, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
In the presented article, oxygen precipitates in annealed Czochralski silicon were studied by X-ray diffraction in Laue geometry.
Česky
V prezentovaném článku jsme studovali kyslíkové precipitáty pomocí rtg difrakce v Laueho geometrii.
Návaznosti
| GA202/09/1013, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
| ||
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
|