Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP
epitaxial films grown on (001) GaAs

J 2012

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

SCHMIDBAUER, Martin, Asli UGUR, C. WOLLSTEIN, Fariba HATAMI, Ferhat KATMIS et. al.

Základní údaje

Originální název

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Název česky

Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs

Autoři

SCHMIDBAUER, Martin (276 Německo), Asli UGUR (276 Německo), C. WOLLSTEIN (276 Německo), Fariba HATAMI (276 Německo), Ferhat KATMIS (276 Německo), Ondřej CAHA (203 Česká republika, garant, domácí) a W. T. MASSELINK (276 Německo)

Vydání

Journal of Applied Physics, Melville, USA, American Institute of Physics, 2012, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.210

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00057272

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995

UT WoS

000299792400075

Klíčová slova česky

vrstvy; GaInP; tečky

Klíčová slova anglicky

LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS

Štítky

ok, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 11. 4. 2013 14:48, Olga Křížová

Anotace

ORIG CZ

V originále

The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.

Česky

Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.

Návaznosti

GP202/09/P410, projekt VaV

Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

MUNI/A/1047/2009, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

Citovat

SCHMIDBAUER, Martin, Asli UGUR, C. WOLLSTEIN, Fariba HATAMI, Ferhat KATMIS, Ondřej CAHA a W. T. MASSELINK. Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs. Journal of Applied Physics. Melville, USA: American Institute of Physics, 2012, roč. 111, č. 2, s. "nestránkováno", 5 s. ISSN 0021-8979. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3677995.

@article{972558,
   author = {Schmidbauer, Martin and Ugur, Asli and Wollstein, C. and Hatami, Fariba and Katmis, Ferhat and Caha, Ondřej and Masselink, W. T.},
   article_location = {Melville, USA},
   article_number = {2},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995},
   keywords = {LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS},
   language = {eng},
   issn = {0021-8979},
   journal = {Journal of Applied Physics},
   title = {Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs},
   url = {http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no},
   volume = {111},
   year = {2012}
}

TY  - JOUR
ID  - 972558
AU  - Schmidbauer, Martin - Ugur, Asli - Wollstein, C. - Hatami, Fariba - Katmis, Ferhat - Caha, Ondřej - Masselink, W. T.
PY  - 2012
TI  - Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs
JF  - Journal of Applied Physics
VL  - 111
IS  - 2
SP  - "nestránkováno"
EP  - "nestránkováno"
PB  - American Institute of Physics
SN  - 00218979
KW  - LAYERS
KW  - ENHANCEMENT
KW  - GAINP
KW  - DOTS
UR  - http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
L2  - http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
N2  - The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.
ER  -

SCHMIDBAUER, Martin, Asli UGUR, C. WOLLSTEIN, Fariba HATAMI, Ferhat KATMIS, Ondřej CAHA a W. T. MASSELINK. Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs. \textit{Journal of Applied Physics}. Melville, USA: American Institute of Physics, 2012, roč.~111, č.~2, s.~''nestránkováno'', 5 s. ISSN~0021-8979. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3677995.

Podrobný výpis o publikaci