Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP
epitaxial films grown on (001) GaAs

J 2012

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

SCHMIDBAUER, Martin; Asli UGUR; C. WOLLSTEIN; Fariba HATAMI; Ferhat KATMIS et. al.

Základní údaje

Originální název

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Název česky

Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs

Autoři

SCHMIDBAUER, Martin; Asli UGUR; C. WOLLSTEIN; Fariba HATAMI; Ferhat KATMIS; Ondřej CAHA a W. T. MASSELINK

Vydání

Journal of Applied Physics, Melville, USA, American Institute of Physics, 2012, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.210

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00057272

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

https://doi.org/10.1063/1.3677995

UT WoS

000299792400075

Klíčová slova česky

vrstvy; GaInP; tečky

Klíčová slova anglicky

LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS

Štítky

ok, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 11. 4. 2013 14:48, Olga Křížová

Anotace

ORIG CZ

V originále

The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.

Česky

Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.

Návaznosti

GP202/09/P410, projekt VaV

Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

MUNI/A/1047/2009, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

Citovat

SCHMIDBAUER, Martin; Asli UGUR; C. WOLLSTEIN; Fariba HATAMI; Ferhat KATMIS; Ondřej CAHA a W. T. MASSELINK. Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs. Journal of Applied Physics. Melville, USA: American Institute of Physics, 2012, roč. 111, č. 2, s. "nestránkováno", 5 s. ISSN 0021-8979. Dostupné z: https://doi.org/10.1063/1.3677995.

@article{972558,
   author = {Schmidbauer, Martin and Ugur, Asli and Wollstein, C. and Hatami, Fariba and Katmis, Ferhat and Caha, Ondřej and Masselink, W. T.},
   article_location = {Melville, USA},
   article_number = {2},
   doi = {https://doi.org/10.1063/1.3677995},
   keywords = {LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS},
   language = {eng},
   issn = {0021-8979},
   journal = {Journal of Applied Physics},
   title = {Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs},
   url = {http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no},
   volume = {111},
   year = {2012}
}

TY  - JOUR
ID  - 972558
AU  - Schmidbauer, Martin - Ugur, Asli - Wollstein, C. - Hatami, Fariba - Katmis, Ferhat - Caha, Ondřej - Masselink, W. T.
PY  - 2012
TI  - Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs
JF  - Journal of Applied Physics
VL  - 111
IS  - 2
SP  - "nestránkováno"
EP  - "nestránkováno"
PB  - American Institute of Physics
SN  - 00218979
KW  - LAYERS
KW  - ENHANCEMENT
KW  - GAINP
KW  - DOTS
UR  - http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
L2  - http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
N2  - The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.
ER  -

SCHMIDBAUER, Martin; Asli UGUR; C. WOLLSTEIN; Fariba HATAMI; Ferhat KATMIS; Ondřej CAHA a W. T. MASSELINK. Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs. \textit{Journal of Applied Physics}. Melville, USA: American Institute of Physics, 2012, roč.~111, č.~2, s.~''nestránkováno'', 5 s. ISSN~0021-8979. Dostupné z: https://doi.org/10.1063/1.3677995.

Přehled o publikaci