HAZDRA, Pavel, Volodymyr KOMARNITSKYY a Vilma BURŠÍKOVÁ. Hydrogenation of platinum introduced in silicon by radiation enhanced diffusion. Materials Science and Engineering. Lausanne: ELSEVIER SCIENCE SA, 2009, roč. 2008, 159-60, s. 342-345. ISSN 0921-5107. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2008.11.038.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Hydrogenation of platinum introduced in silicon by radiation enhanced diffusion
Autoři HAZDRA, Pavel (203 Česká republika, garant), Volodymyr KOMARNITSKYY (804 Ukrajina) a Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí).
Vydání Materials Science and Engineering, Lausanne, ELSEVIER SCIENCE SA, 2009, 0921-5107.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 20201 Electrical and electronic engineering
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.715
Kód RIV RIV/00216224:14310/09:00056770
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2008.11.038
UT WoS 000267635500081
Klíčová slova česky difúze; hydrogenace; platina ; křemík
Klíčová slova anglicky diffusion; hydrogenation; platinum; silicon
Štítky IK, rivok, ZR
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 20. 4. 2012 12:18.
Anotace
The paper deals with hydrogenation of platinum atoms introduced in silicon by radiation enhanced diffusion. The interaction of defects and arising deep levels are investigated by means of deep level transient spectroscopy.
Anotace česky
Článek je zaměřen na hydrogenaci atomů platina v křemíku pomocí radiačně podporované difúze. Defekty jsou studovány zejména pomocí deep level transient spectroscopy.
Návaznosti
MSM0021622411, záměrNázev: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VytisknoutZobrazeno: 8. 5. 2024 17:15