2012
Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition
KLENOVSKÝ, Petr, Moritz BREHM, Vlastimil KŘÁPEK, Elisabeth LAUSECKER, Dominik MUNZAR et. al.Základní údaje
Originální název
Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition
Autoři
KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Moritz BREHM (40 Rakousko), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika, domácí), Elisabeth LAUSECKER (40 Rakousko), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí), Florian HACKL (40 Rakousko), Hubert STEINER (40 Rakousko), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko), Günther BAUER (40 Rakousko) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
Physical Review B, USA, The American Physical Society, 2012, 1098-0121
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.767
Kód RIV
RIV/00216224:14740/12:00060837
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000308288300008
Klíčová slova anglicky
quantum dots; SiGe; photoluminescence; excitonic structure; biexciton
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 4. 4. 2014 18:31, Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
V originále
The pumping intensity (I) dependence of the photoluminescence (PL) spectra of perfectly laterally two-dimensionally ordered SiGe quantum dots on Si(001) substrates was studied. The PL results from recombinations of holes localized in the SiGe quantum dots and electrons localized due to the strain field in the surrounding Si matrix. The analysis of the spectra revealed several distinct bands, attributed to phonon-assisted recombination and no-phonon recombination of the excitonic ground state and of the excited excitonic states, which all exhibit a linear I dependence of the PL intensity. At approximately I larger than 3 W cm-2, additional bands with a nearly quadratic I dependence appear in the PL spectra, resulting from biexcitonic transitions. These emerging PL contributions shift the composite no-phonon PL band of the SiGe quantum dots to higher energies. The experimentally obtained energies of the no-phonon transitions are in good agreement with the exciton and biexciton energies calculated using the envelope function approximation and the configuration interaction method.
Česky
Byla studována závislost fotoluminiscenčních (PL) spekter dokonale laterálně uspořádaných SiGe kvantových teček rostených na Si(001) substrátech na intenzitě optického čerpání (I). PL spektra vznikají rekombinací děr nacházejících se v SiGe kvantových tečkách a elektronů lokalizovaných v Si matrici obklopující kvantové tečky. Analýzou spekter jsme byli schopni identifikovat několik odlišných pásů, odpovídajících rekombinacím základního stavu a excitovaných stavů s účastí fononu i bez něj. Všechny tyto přechody vykazují lineární závislost PL intenzity na I. Pro I větší než přibližně 3 W cm-2 jsme objevili další pásy odpovídající rekombinacím biexcitonových přechodů, které vykazují téměř kvadratickou závislost na I. Tyto nově vznikající příspěvky do PL spekter posouvají celkové PL spektrum bezfononových přechodů k vyšším energiím. Experimentálně zjištěné energie přechodů bez účasti fononu jsou ve velmi dobré shodě s hodnotami energií excitonů a biexcitonů, vypočtenými pomocí metody obálkových funkcí a konfigurační interakce.
Návaznosti
| CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU (Kód CEP: EE2.3.20.0027) |
| ||
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
|