KLENOVSKÝ, Petr, Moritz BREHM, Vlastimil KŘÁPEK, Elisabeth LAUSECKER, Dominik MUNZAR, Florian HACKL, Hubert STEINER, Thomas FROMHERZ, Günther BAUER a Josef HUMLÍČEK. Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition. Physical Review B. USA: The American Physical Society, 2012, roč. 86, č. 11, s. "nestránkováno", 8 s. ISSN 1098-0121. doi:10.1103/PhysRevB.86.115305.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition
Autoři KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Moritz BREHM (40 Rakousko), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika, domácí), Elisabeth LAUSECKER (40 Rakousko), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí), Florian HACKL (40 Rakousko), Hubert STEINER (40 Rakousko), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko), Günther BAUER (40 Rakousko) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Physical Review B, USA, The American Physical Society, 2012, 1098-0121.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.767
Kód RIV RIV/00216224:14740/12:00060837
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.115305
UT WoS 000308288300008
Klíčová slova anglicky quantum dots; SiGe; photoluminescence; excitonic structure; biexciton
Štítky ok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Petr Klenovský, Ph.D., učo 105957. Změněno: 4. 4. 2014 18:31.
Anotace
The pumping intensity (I) dependence of the photoluminescence (PL) spectra of perfectly laterally two-dimensionally ordered SiGe quantum dots on Si(001) substrates was studied. The PL results from recombinations of holes localized in the SiGe quantum dots and electrons localized due to the strain field in the surrounding Si matrix. The analysis of the spectra revealed several distinct bands, attributed to phonon-assisted recombination and no-phonon recombination of the excitonic ground state and of the excited excitonic states, which all exhibit a linear I dependence of the PL intensity. At approximately I larger than 3 W cm-2, additional bands with a nearly quadratic I dependence appear in the PL spectra, resulting from biexcitonic transitions. These emerging PL contributions shift the composite no-phonon PL band of the SiGe quantum dots to higher energies. The experimentally obtained energies of the no-phonon transitions are in good agreement with the exciton and biexciton energies calculated using the envelope function approximation and the configuration interaction method.
Anotace česky
Byla studována závislost fotoluminiscenčních (PL) spekter dokonale laterálně uspořádaných SiGe kvantových teček rostených na Si(001) substrátech na intenzitě optického čerpání (I). PL spektra vznikají rekombinací děr nacházejících se v SiGe kvantových tečkách a elektronů lokalizovaných v Si matrici obklopující kvantové tečky. Analýzou spekter jsme byli schopni identifikovat několik odlišných pásů, odpovídajících rekombinacím základního stavu a excitovaných stavů s účastí fononu i bez něj. Všechny tyto přechody vykazují lineární závislost PL intenzity na I. Pro I větší než přibližně 3 W cm-2 jsme objevili další pásy odpovídající rekombinacím biexcitonových přechodů, které vykazují téměř kvadratickou závislost na I. Tyto nově vznikající příspěvky do PL spekter posouvají celkové PL spektrum bezfononových přechodů k vyšším energiím. Experimentálně zjištěné energie přechodů bez účasti fononu jsou ve velmi dobré shodě s hodnotami energií excitonů a biexcitonů, vypočtenými pomocí metody obálkových funkcí a konfigurační interakce.
Návaznosti
CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU
(Kód CEP: EE2.3.20.0027)
Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Operační program Vzdělávání pro konkurenceschopnost (VK), 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
MUNI/A/1047/2009, interní kód MUNázev: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
Investor: Masarykova univerzita, Grantová agentura MU, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
VytisknoutZobrazeno: 31. 7. 2021 12:20