HUMLÍČEK, Josef, Petr KLENOVSKÝ a Dominik MUNZAR. ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS. In 3rd International Conference on NANOCON. SLEZSKA: TANGER LTD, 2011. s. 39-44. ISBN 978-80-87294-27-7.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS
Autoři HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant, domácí), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, domácí) a Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí).
Vydání SLEZSKA, 3rd International Conference on NANOCON, od s. 39-44, 6 s. 2011.
Nakladatel TANGER LTD
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání paměťový nosič (CD, DVD, flash disk)
Kód RIV RIV/00216224:14740/11:00057585
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
ISBN 978-80-87294-27-7
UT WoS 000306686700005
Klíčová slova anglicky quantum dots; GaAs; InAs; GaAsSb
Štítky ok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Olga Křížová, učo 56639. Změněno: 16. 4. 2013 09:47.
Anotace
The electronic structure of InAs quantum dots (QD) self assembled on GaAs and covered with the GaAs(1-y) Sb(y) strain reducing layer displays several interesting features, depending on the geometry and the composition of the ternary material. The basic motivation is the possible lowering of the emission energy towards the prominent communication bands of 1.3 and 1.55 microns. Using the envelope function theory, we investigate the localization of electrons and holes. The most remarkable finding is the localization of holes outside InAs, close to the base of the dot, for larger value of the Sb content. Thus, typeII molecular-like states are formed as the results of the strain and piezoelectric fields. The parameters of the ternary layer play a crucial role in forming the properties of the QD structures; some of them cannot be easily obtained by X-ray techniques. For this reason, we explore the possibility of efficient characterization of the very thin ternary layers in the QD heterostructures using VIS-UV reflectance spectra, and compare the results with those obtained by using X-rays.
Návaznosti
GA202/09/0676, projekt VaVNázev: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Investor: Grantová agentura ČR, Standardní projekty
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Výzkumné záměry
VytisknoutZobrazeno: 2. 8. 2021 13:26