Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like
films deposited by PECVD at atmospheric pressure

J 2016

Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure

SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE et al.

Základní údaje

Originální název

Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure

Autoři

SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE; Rüdiger FOEST; Jiří VODÁK a Lenka ZAJÍČKOVÁ

Vydání

Surface and Coatings Technology, 2016, 0257-8972

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.589

Kód RIV

RIV/00216224:14310/16:00087594

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047

UT WoS

000376834700017

EID Scopus

2-s2.0-84951193869

Klíčová slova anglicky

Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 10. 7. 2025 16:08, Mgr. Petra Trembecká, Ph.D.

Anotace

V originále

We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

ED2.1.00/03.0086, projekt VaV

Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy

LO1411, projekt VaV

Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy

TE02000011, projekt VaV

Název: Centrum výzkumu povrchových úprav (Akronym: povrchovky)

Investor: Technologická agentura ČR, Research center of surface treatment

Přiložené soubory

1-s2.0-S0257897215302851-main.pdf Verze souboru

Citovat

SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE; Rüdiger FOEST; Jiří VODÁK a Lenka ZAJÍČKOVÁ. Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure. Surface and Coatings Technology. 2016, roč. 295, 15 June 2016, s. 112-118. ISSN 0257-8972. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047.

@article{1317983,
   author = {Schäfer, Jan and Hnilica, Jaroslav and Šperka, Jiří and Quade, Antje and Kudrle, Vít and Foest, Rüdiger and Vodák, Jiří and Zajíčková, Lenka},
   article_number = {15 June 2016},
   doi = {https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047},
   keywords = {Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide},
   language = {eng},
   issn = {0257-8972},
   journal = {Surface and Coatings Technology},
   title = {Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure},
   url = {https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897215302851?via%3Dihub},
   volume = {295},
   year = {2016}
}

TY  - JOUR
ID  - 1317983
AU  - Schäfer, Jan - Hnilica, Jaroslav - Šperka, Jiří - Quade, Antje - Kudrle, Vít - Foest, Rüdiger - Vodák, Jiří - Zajíčková, Lenka
PY  - 2016
TI  - Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure
JF  - Surface and Coatings Technology
VL  - 295
IS  - 15 June 2016
SP  - 112-118
EP  - 112-118
SN  - 02578972
KW  - Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane
KW  - Tetrakis(trimethylsiloxy)silane
KW  - Plasma jet
KW  - Silicon dioxide
UR  - https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897215302851?via%3Dihub
N2  - We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
ER  -

SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE; Rüdiger FOEST; Jiří VODÁK a Lenka ZAJÍČKOVÁ. Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure. \textit{Surface and Coatings Technology}. 2016, roč.~295, 15 June 2016, s.~112-118. ISSN~0257-8972. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047.

Přehled o publikaci