Diplomová práce

Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod

Study of epitaxial layers using x-ray techniques

Bc. Michal Bednář
Anotace

V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili …více

Abstract

In this thesis we studied epitaxial layers using X-ray analysis. We analyzed samples with ternary GaAsSb layers, which can be used as a cover layers for systems of quantum dots. The layers were grown on GaAs (100) substrate. We used kinematical theory of X-ray diffraction to describe distribution of antimony concentration in the GaAsSb layer. We used the same theory to analyze structural properties …více

Klíčová slova
Rentgenová difrakce Epitaxní vrstva Kvantové tečky GaAsSb vrstva Topologický izolátor X-ray diffraction Epitaxial layers Quantum dots GaAsSb layer Topological insulator
Zadání práce
Při depozici epitaxních polovodičových vrstev vznikají za určitých podmínek kvantové tečky, což jsou malé monokrystalické částice jednoho polovodičového materiálu v matrici okolního krystalu. Fyzikální vlastnosti takovýchto ostrůvků závisí na jejich rozměrech a jsou tedy do jisté míry laditelné. Předmětem práce bude analýza systému InAs kvantových teček v GaAs, zvláště pak měření tlouštěk a složení GaAsSb a InGaAs vrstev, jimiž jsou kvantové tečky pokryty. V další části práce budou studovány strukturní vlastnosti tenkých epitaxních vrstev topologických izolátorů.
Administrativní informace
Práce zkontrolována:
19. 5. 2014 07:13, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414
Plný text práce
6,5 MB / soubor PDF
Jazyk práce
čeština čeština
Termín obhajoby
19. 6. 2014
Práce byla úspěšně obhájena

Vedoucí

doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414
ÚFKL Fyz PřF MU

Oponent

Autor posudku dosud neidentifikován.

Literatura

  • HOLÝ, Václav; Ullrich PIETSCH a Tilo BAUMBACH. High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures. New York, Berlin, Heidelberg: Springer, 2004, 408 s. Advanced Texts in Physics. ISBN 0387400923.
Citovat tuto práci
Masarykova univerzita Přírodovědecká fakulta
Studijní program
Fyzika
Obor

Práce na příbuzné téma

Seznam prací, které mají shodná klíčová slova.

Podobné práce

  • Přidání souboru

    Soubor nebo složku lze nahrát pomocí tlačítka Přidat.

  • Další operace se soubory

    Podrobnosti lze zjistit označením příslušného řádku.

  • Pohled pro experty

    Pro častou práci je možné zvolit režim Více možností.

  • Vyhledávání souborů

    Vyhledávaný výraz můžete zadat přímo do adresního řádku.

  • Rychlý přístup k souborům

    Pomocí funkce Nedávné je možné se rychle vrátit k právě prohlíženým souborům. Oblíbené soubory je také možné označit Hvězdičkou.