Perfect crystals grown from imperfect interfaces

FALUB, Claudiu Valentin, Mojmír MEDUŇA, Daniel CHRASTINA, Fabio ISA, Anna MARZEGALLI, Thomas KREILIGER, Alfonso TABOADA, Giovanni ISELLA, Leo MIGLIO, Alex DOMMANN a Hans VON KAENEL. Perfect crystals grown from imperfect interfaces. Scientific Reports. London: Nature Publishing Group, 2013, roč. 3, Jul, s. "nestránkováno", 6 s. ISSN 2045-2322. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1038/srep02276.

Základní údaje

• Originální název: Perfect crystals grown from imperfect interfaces
• Název česky: Dokonalé krystaly rostlé z nedokonalých rozhraní
• Autoři: FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Fabio ISA (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Leo MIGLIO (380 Itálie), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko).
• Vydání: Scientific Reports, London, Nature Publishing Group, 2013, 2045-2322.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 5.078
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/13:00068896
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1038/srep02276
• UT WoS: 000322153800004
• Klíčová slova česky: elektronické součástky; polovodiče; zobrazovací metody
• Klíčová slova anglicky: electronic devices; semiconductors; imaging techniques
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

We prove by scanning X-ray nanodiffraction that mismatched Ge crystals epitaxially grown on deeply patterned Si substrates evolve into perfect structures away from the heavily islocated interface.

Anotace česky

Pomocí skenovací rtg nanodifrakce dokazujeme, že mřížkově nepřízpůsobené Ge krystaly vyrostlé epitaxně na hluboce vzorkovaných Si substrátech se vyvinou v dokonalé struktury daleko od dislokačního rozhraní.

Návaznosti

• CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU: Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• EE2.3.20.0027, projekt VaV: Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
• MSM0021622410, záměr: Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur