Perfect crystals grown from imperfect interfaces

J 2013

Perfect crystals grown from imperfect interfaces

FALUB, Claudiu Valentin; Mojmír MEDUŇA; Daniel CHRASTINA; Fabio ISA; Anna MARZEGALLI et al.

Základní údaje

Originální název

Perfect crystals grown from imperfect interfaces

Název česky

Dokonalé krystaly rostlé z nedokonalých rozhraní

Autoři

FALUB, Claudiu Valentin; Mojmír MEDUŇA; Daniel CHRASTINA; Fabio ISA; Anna MARZEGALLI; Thomas KREILIGER; Alfonso TABOADA; Giovanni ISELLA; Leo MIGLIO; Alex DOMMANN a Hans VON KAENEL

Vydání

Scientific Reports, London, Nature Publishing Group, 2013, 2045-2322

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 5.078

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14740/13:00068896

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

https://doi.org/10.1038/srep02276

UT WoS

000322153800004

Klíčová slova česky

elektronické součástky; polovodiče; zobrazovací metody

Klíčová slova anglicky

electronic devices; semiconductors; imaging techniques

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 13. 3. 2018 10:46, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We prove by scanning X-ray nanodiffraction that mismatched Ge crystals epitaxially grown on deeply patterned Si substrates evolve into perfect structures away from the heavily islocated interface.

Česky

Pomocí skenovací rtg nanodifrakce dokazujeme, že mřížkově nepřízpůsobené Ge krystaly vyrostlé epitaxně na hluboce vzorkovaných Si substrátech se vyvinou v dokonalé struktury daleko od dislokačního rozhraní.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU

Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Citovat

FALUB, Claudiu Valentin; Mojmír MEDUŇA; Daniel CHRASTINA; Fabio ISA; Anna MARZEGALLI; Thomas KREILIGER; Alfonso TABOADA; Giovanni ISELLA; Leo MIGLIO; Alex DOMMANN a Hans VON KAENEL. Perfect crystals grown from imperfect interfaces. Scientific Reports. London: Nature Publishing Group, 2013, roč. 3, Jul, s. "nestránkováno", 6 s. ISSN 2045-2322. Dostupné z: https://doi.org/10.1038/srep02276.

@article{1116835,
   author = {Falub, Claudiu Valentin and Meduňa, Mojmír and Chrastina, Daniel and Isa, Fabio and Marzegalli, Anna and Kreiliger, Thomas and Taboada, Alfonso and Isella, Giovanni and Miglio, Leo and Dommann, Alex and von Kaenel, Hans},
   article_location = {London},
   article_number = {Jul},
   doi = {https://doi.org/10.1038/srep02276},
   keywords = {electronic devices; semiconductors; imaging techniques},
   language = {eng},
   issn = {2045-2322},
   journal = {Scientific Reports},
   title = {Perfect crystals grown from imperfect interfaces},
   url = {http://www.nature.com/srep/2013/130724/srep02276/full/srep02276.html},
   volume = {3},
   year = {2013}
}

TY  - JOUR
ID  - 1116835
AU  - Falub, Claudiu Valentin - Meduňa, Mojmír - Chrastina, Daniel - Isa, Fabio - Marzegalli, Anna - Kreiliger, Thomas - Taboada, Alfonso - Isella, Giovanni - Miglio, Leo - Dommann, Alex - von Kaenel, Hans
PY  - 2013
TI  - Perfect crystals grown from imperfect interfaces
JF  - Scientific Reports
VL  - 3
IS  - Jul
SP  - "nestránkováno"
EP  - "nestránkováno"
PB  - Nature Publishing Group
SN  - 20452322
KW  - electronic devices
KW  - semiconductors
KW  - imaging techniques
UR  - http://www.nature.com/srep/2013/130724/srep02276/full/srep02276.html
L2  - http://www.nature.com/srep/2013/130724/srep02276/full/srep02276.html
N2  - We prove by scanning X-ray nanodiffraction that mismatched Ge crystals epitaxially grown on deeply patterned Si substrates evolve into perfect structures away from the heavily islocated interface.
ER  -

FALUB, Claudiu Valentin; Mojmír MEDUŇA; Daniel CHRASTINA; Fabio ISA; Anna MARZEGALLI; Thomas KREILIGER; Alfonso TABOADA; Giovanni ISELLA; Leo MIGLIO; Alex DOMMANN a Hans VON KAENEL. Perfect crystals grown from imperfect interfaces. \textit{Scientific Reports}. London: Nature Publishing Group, 2013, roč.~3, Jul, s.~''nestránkováno'', 6 s. ISSN~2045-2322. Dostupné z: https://doi.org/10.1038/srep02276.

Přehled o publikaci