Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B

CAHA, Ondřej, P. KOSTELNÍK, Jan ŠIK, Y.D. KIM a Josef HUMLÍČEK. Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B. Applied Physics Letters. USA: American institute of physics, 2013, roč. 103, č. 20, s. "nestránkováno", 4 s. ISSN 0003-6951. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.4830367.

Základní údaje

• Originální název: Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
• Název česky: Mřížkové parametry a optická odezva pseudomorfní slitiny SiGe:B
• Autoři: CAHA, Ondřej (203 Česká republika, domácí), P. KOSTELNÍK (203 Česká republika), Jan ŠIK (203 Česká republika, domácí), Y.D. KIM (410 Korejská republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
• Vydání: Applied Physics Letters, USA, American institute of physics, 2013, 0003-6951.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Impakt faktor: Impact factor: 3.515
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/13:00065531
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.4830367
• UT WoS: 000327818700048
• Klíčová slova anglicky: silicon; SiGe alloys; heavy doping
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Pseudomorph epitaxial films of Si1-xGex:B were grown on undoped (100) Si for x<0.026 and the B concentration of 1.3E20 cm-3. The in-plane and out-of-plane lattice constants were determined using the X-ray techniques for 004 symmetric and 224 asymmetric diffraction. The influence of B and Ge co-doping has been detected in reflectance and ellipsometric spectra from infrared to ultraviolet. Free-hole plasma and Fano-type resonances of Si phonons and localized 11B and 10B vibrations have been observed. The spectral shift of E1 electronic transitions has been quantified. We found a simple way to test the variations of Ge content using relative reflectance spectra.

Anotace česky

Pseudomorní epitaxní vrstvy Si1-xGex:B byly připraveny na nedopovaném (100) Si pro x<0.026 a koncentraci B 1.3E20 cm-3. Mřížkové konstanty v rovině vrstvy a kolmo na ni byly určeny pomocí symetrické rtg difrakce 004 a asymetrické difrakce 224. Vliv dopingu B a Ge byl detekován v reflexních a elipsometrických spektrech v oblasti IR-UV. Byla pozorována odezva plasmatu volných děr a Fanova rezonance fononů Si a lokalizovaných vibrací 11B a 10B. Spektrální posuv přechodů E1 byl kvantifikován. Našli jsme jednoduchou možnost testu změn obsahu Ge užitím spekter relativní reflektance.

Návaznosti

• MUNI/A/1047/2009, interní kód MU: Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

• TA01010078, projekt VaV: Název: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (Akronym: ONSEMI)

Investor: Technologická agentura ČR, Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace