KREILIGER, Thomas, Claudiu Valentin FALUB, Fabio ISA, G. ISELLA, D. CHRASTINA, R. BERGAMASCHINI, A. MARZEGALLI, R. KAUFMANN, P. NIEDERMANN, A. NEELS, E. MÜLLER, Mojmír MEDUŇA, Alex DOMMANN, Leo MIGLIO a Hans VON KANEL. Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection. Journal of Instrumentation. BRISTOL: IOP PUBLISHING, roč. 9, March 2014, s. "C03019", 10 s. ISSN 1748-0221. doi:10.1088/1748-0221/9/03/C03019. 2014.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection
Název česky Epitaxní Ge-krystalová pole pro rtg detekci
Autoři KREILIGER, Thomas (756 Švýcarsko), Claudiu Valentin FALUB (642 Rumunsko), Fabio ISA (380 Itálie), G. ISELLA (380 Itálie), D. CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), R. BERGAMASCHINI (380 Itálie), A. MARZEGALLI (380 Itálie), R. KAUFMANN (756 Švýcarsko), P. NIEDERMANN (756 Švýcarsko), A. NEELS (756 Švýcarsko), E. MÜLLER (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko), Leo MIGLIO (756 Švýcarsko) a Hans VON KANEL (756 Švýcarsko).
Vydání Journal of Instrumentation, BRISTOL, IOP PUBLISHING, 2014, 1748-0221.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Velká Británie a Severní Irsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.399
Kód RIV RIV/00216224:14740/14:00075286
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/03/C03019
UT WoS 000336123200019
Klíčová slova česky materiály pro pevnolátkové detektory; pevnolátkové detektory; rtg detektory
Klíčová slova anglicky Materials for solid-state detectors; Solid state detectors; X-ray detectors
Štítky kontrola MP, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 13. 3. 2018 10:42.
Anotace
Monolithic integration of an X-ray absorber layer on a Si CMOS chip might be a potentially attractive way to improve detector performance at acceptable costs. In practice this requires, however, the epitaxial growth of highly mismatched layers on a Si-substrate, both in terms of lattice parameters and thermal expansion coefficients. The generation of extended crystal defects, wafer bowing and layer cracking have so far made it impossible to put the simple concept into practice. Here we present a way in which the difficulties of fabricating very thick, defect-free epitaxial layers may be overcome. It consists of an array of densely packed, three-dimensional Ge-crystals on a patterned Si(001) substrate. The finite gap between neighboring micron-sized crystals prevents layer cracking and substrate bowing, while extended defects are driven to the crystal sidewalls. We show that the Ge-crystals are indeed defect-free, despite the lattice misfit of 4.2%. The electrical characteristics of individual Ge/Si heterojunction diodes are obtained from in-situ measurements inside a scanning electron microscope. The fabrication of monolithically integrated detectors is shown to be compatible with Si-CMOS processing.
Anotace česky
Monolitická integrace rtg absorbční vrstvy na Si CMOS čipu může být potenciálně přitažlivý způsob zlepšení výkonu detektoru za přijatelných nákladů. Elektrické charakteristiky jednotlivých Ge-Si diod jsou získány z in=situ měření uvnitř skenovacího mikroskopu.
Návaznosti
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MUNázev: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
VytisknoutZobrazeno: 28. 3. 2024 09:56