Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI

MÜNZ, Filip a Josef HUMLÍČEK. Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI. 2014.

Základní údaje

• Originální název: Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
• Název česky: Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
• Název anglicky: Apparatus to measure thickness of SOI semiconductor layered structures
• Autoři: MÜNZ, Filip (203 Česká republika, garant, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí).
• Vydání: 2014.

Další údaje

• Originální jazyk: čeština
• Typ výsledku: Výsledky s právní ochranou
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Česká republika
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/14:00073312
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Klíčová slova česky: tenké vrstvy; mapování; spektroskopie
• Klíčová slova anglicky: thin layer; mapping; spectroscopy
• Štítky: AKR, rivok, SOI mapping

Anotace

Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač.

Anotace anglicky

Technical solution targets measurements of thickness of SOI layered semiconductor structures through optical means in VIS/NIR range with precision of 30 nm in 1-10 micron range; it comprises a light source, optical fibers, scanner, spectrometer, control electronics and computer

Návaznosti

• TA01010078, projekt VaV: Název: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (Akronym: ONSEMI)

Investor: Technologická agentura ČR, Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace