HOLOVSKÝ, Jakub, Zdeněk REMEŠ, Aleš PORUBA, Daniel FRANTA, Briana CONRAD, Lucie ABELOVÁ a David BUŠEK. Measurement of doping profiles by a contactless method of IR reflectance under grazing incidence. Review of Scientific Instruments. 2018, roč. 89, č. 6, s. 063114-63119. ISSN 0034-6748. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.5015988.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Measurement of doping profiles by a contactless method of IR reflectance under grazing incidence
Autoři HOLOVSKÝ, Jakub (203 Česká republika), Zdeněk REMEŠ (203 Česká republika), Aleš PORUBA (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika, garant, domácí), Briana CONRAD (203 Česká republika), Lucie ABELOVÁ a David BUŠEK.
Vydání Review of Scientific Instruments, 2018, 0034-6748.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.587
Kód RIV RIV/00216224:14310/18:00106359
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.5015988
UT WoS 000437195200014
Klíčová slova anglicky IR reflectance; doping; semiconductors
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Michal Petr, učo 65024. Změněno: 23. 4. 2024 14:15.
Anotace
An improved contactless method of the measurement and evaluation of charge carrier profiles in polished wafers by infrared reflectance was developed. The sensitivity of optical reflectance to the incidence angle was theoretically analyzed. A grazing incident angle enhances sensitivity to doping profile parameters. At the same time, the sensitivity to experimental errors sharply increases around the Brewster angle. Therefore, the optimal angle of 65 was chosen. Experimental errors such as unintentional polarization of the measurement beam were minimized by division by reference spectra taken on an undoped sample and further by normalization to a fixed value in the region of 4000 cm1 to 7000 cm1. The carrier profile in boron-doped samples was parametrized by 3 parameters and that in phosphorous-doped samples was parametrized by 4 parameters, using additional empirically determined assumptions. As a physical model, the Drude equation is used with two parameters assumed to be concentration-dependent: relaxation time and contribution from band-to-band excitations. The model parameters were calibrated independently by infrared ellipsometry. The presented method gives results in satisfactory agreement with the profiles measured by the electrochemical capacitance-voltage method.
VytisknoutZobrazeno: 25. 7. 2024 16:35