FRANTA, Daniel, Jiří VOHÁNKA, Martin BRÁNECKÝ, Pavel FRANTA, Martin ČERMÁK, Ivan OHLÍDAL a Vladimír ČECH. Optical properties of the crystalline silicon wafers described using the universal dispersion model. Journal of Vacuum Science & Technology B. New York: A V S AMER INST PHYSICS, roč. 37, č. 6, s. "062907-1"-"062907-14", 14 s. ISSN 2166-2746. doi:10.1116/1.5122284. 2019.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Optical properties of the crystalline silicon wafers described using the universal dispersion model
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, domácí), Jiří VOHÁNKA (203 Česká republika, domácí), Martin BRÁNECKÝ (203 Česká republika), Pavel FRANTA (203 Česká republika, domácí), Martin ČERMÁK (203 Česká republika, domácí), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí) a Vladimír ČECH (203 Česká republika).
Vydání Journal of Vacuum Science & Technology B, New York, A V S AMER INST PHYSICS, 2019, 2166-2746.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10306 Optics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.511
Kód RIV RIV/00216224:14310/19:00112018
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1116/1.5122284
UT WoS 000522021700058
Klíčová slova anglicky Spectrophotometry;Gaussian broadening;Optical constants;Optical properties;Phonons;Dielectric properties
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 17. 4. 2020 17:21.
Anotace
The optical properties of a slightly boron doped float-zone crystalline silicon wafer are studied using ellipsometry and spectrophotometry in a wide spectral range from far IR to vacuum UV. One side of the wafer was cleaned in an argon plasma, which influenced the optical properties of silicon near the surface. The dielectric response of silicon was modeled using a simplified universal dispersion model which is constructed on the basis of parameterization of the joint density of states describing both the electronic and phonon excitations. Several variants of models describing phonon absorption and interband transitions are discussed. It was possible to accurately determine the optical constants of bulk silicon and the optical constants near the perturbed surface over a wide spectral range. These optical constants agree well with those found in other works. From the optical measurements, it was also possible to determine the thickness of the wafer and the static value of resistivity, and the determined values agreed with nominal values specified for the wafer.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 28. 3. 2024 09:36