J 1998

Metastability studies in silicon thin films: from short range ordered to medium and long range ordered materials

SŤAHEL, Pavel; S HAMMA; Petr SLÁDEK a Pere ROCA I CABARROCAS

Základní údaje

Originální název

Metastability studies in silicon thin films: from short range ordered to medium and long range ordered materials

Autoři

SŤAHEL, Pavel; S HAMMA; Petr SLÁDEK a Pere ROCA I CABARROCAS

Vydání

Journal of Non-Crystalline Solids, Nizozemsko, Elsevier Science B.V. 1998, 0022-3093

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.062

Označené pro přenos do RIV

Ne

Organizační jednotka

Pedagogická fakulta

EID Scopus

Klíčová slova anglicky

metastability; microcrystalline Si; a-Si; thin film

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 2. 2020 15:58, Dana Nesnídalová

Anotace

V originále

The effects of disorder on the kinetics of creation of metastable defects on silicon thin films have been studied through the evolution of the dark conductivity, the photoconductivity and the subgap absorption. Hydrogenated amorphous silicon, representative of short range ordered materials has been compared to polymorphous silicon (medium range order) and to microcrystalline silicon (long range order). Changing from short range ordered to medium range ordered materials results in a faster kinetics of creation of metastable defects as well as to films with better properties in both as-deposited and light-soaked states. Microcrystalline silicon films with crystalline fractions above 60% present stability and an improvement of their properties during light-soaking. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.