1998
Metastability studies in silicon thin films: from short range ordered to medium and long range ordered materials
SŤAHEL, Pavel; S HAMMA; Petr SLÁDEK a Pere ROCA I CABARROCASZákladní údaje
Originální název
Metastability studies in silicon thin films: from short range ordered to medium and long range ordered materials
Autoři
SŤAHEL, Pavel; S HAMMA; Petr SLÁDEK a Pere ROCA I CABARROCAS
Vydání
Journal of Non-Crystalline Solids, Nizozemsko, Elsevier Science B.V. 1998, 0022-3093
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.062
Označené pro přenos do RIV
Ne
Organizační jednotka
Pedagogická fakulta
UT WoS
EID Scopus
Klíčová slova anglicky
metastability; microcrystalline Si; a-Si; thin film
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 2. 2020 15:58, Dana Nesnídalová
Anotace
V originále
The effects of disorder on the kinetics of creation of metastable defects on silicon thin films have been studied through the evolution of the dark conductivity, the photoconductivity and the subgap absorption. Hydrogenated amorphous silicon, representative of short range ordered materials has been compared to polymorphous silicon (medium range order) and to microcrystalline silicon (long range order). Changing from short range ordered to medium range ordered materials results in a faster kinetics of creation of metastable defects as well as to films with better properties in both as-deposited and light-soaked states. Microcrystalline silicon films with crystalline fractions above 60% present stability and an improvement of their properties during light-soaking. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.