SLÁDEK, Petr, Pavel SŤAHEL, ML THEYE a Pere ROCA I CABARROCAS. The hydrogen effusion induced structural changes and defects in hydrogenated amorphous SiGe films: dependence upon the microstructure. Journal of Non-Crystalline Solids. Nizozemsko: Elsevier Science B.V., 1998, roč. 227, PART 1, s. 437-441. ISSN 0022-3093. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(98)00186-0.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název The hydrogen effusion induced structural changes and defects in hydrogenated amorphous SiGe films: dependence upon the microstructure
Autoři SLÁDEK, Petr, Pavel SŤAHEL, ML THEYE a Pere ROCA I CABARROCAS.
Vydání Journal of Non-Crystalline Solids, Nizozemsko, Elsevier Science B.V. 1998, 0022-3093.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.062
Organizační jednotka Pedagogická fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(98)00186-0
UT WoS 000074643400090
Klíčová slova anglicky hydrogen; SiGe; hydrogen effusion
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Dana Nesnídalová, učo 831. Změněno: 3. 2. 2020 16:07.
Anotace
To better understand the relations between deposition conditions, microstructure, H incorporation and the optoelectronics properties of undoped a-Si(1-x)Ge(x):H alloys, we performed a comparative study of samples (with x approximate to 0.5) prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition at total pressures varying from 900 to 2200 mTorr. The hydrogen bonding, detected by infra-red absorption measurements and H thermal desorption experiments, as well as the optoelectronic properties, determined by a combination of standard optical and photothermal deflection spectroscopy measurements, were found to depend on the total pressure. The results obtained in the as-deposited state and after annealing at increasing temperatures are analysed as a whole in terms of specific local H bonding environment, degree of order, and defects. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
VytisknoutZobrazeno: 25. 4. 2024 23:13