1999
X-ray diffraction from quantum wires and quantum dots
ZHUANG, Y., J. STANGL, A.A. DARHUBER, G. BAUER, Petr MIKULÍK et. al.Základní údaje
Originální název
X-ray diffraction from quantum wires and quantum dots
Autoři
ZHUANG, Y., J. STANGL, A.A. DARHUBER, G. BAUER, Petr MIKULÍK (203 Česká republika, garant), Václav HOLÝ (203 Česká republika), N, DAROWSKI a U. PIETSCH
Vydání
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Great Britain, Kluwer Academic Publishers, 1999, 0957-4522
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.417
Kód RIV
RIV/00216224:14310/99:00000037
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000080751500008
Klíčová slova anglicky
quantum wires; quantum dots; SiGe; x-ray diffraction
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 2. 2007 18:55, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
V originále
From the distribution of the scattered intensity in reciprocal space, information on the shape as well as on the strain distribution in nanostructured samples can be obtained. This is exemplified by applying this method to laterally patterned periodic Si/SiGe superlattices as well as to periodic SiGe dot arrays embedded in Si.
Česky
Informace o tvaru a rozložení napětí v nanostrukturách může být získána z měření rozptýlené intenzity v reciprokém prostoru. Tuto metodu aplikujeme na laterálně strukturované periodické supermřížky Si/SiGe a na periodické mřížky SiGe teček v Si.
Návaznosti
| GA202/97/0003, projekt VaV |
|