2023
Theoretical study of MoSi2/TiSi2 disilicide nanocomposites with vacancies and impurities
VŠIANSKÁ, Monika; Jana PAVLŮ a Mojmír ŠOBZákladní údaje
Originální název
Theoretical study of MoSi2/TiSi2 disilicide nanocomposites with vacancies and impurities
Autoři
VŠIANSKÁ, Monika (203 Česká republika, domácí); Jana PAVLŮ (203 Česká republika, domácí) a Mojmír ŠOB (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
Surfaces and Interfaces, Amsterdam, Elsevier Science, 2023, 2468-0230
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10403 Physical chemistry
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 5.700
Kód RIV
RIV/00216224:14310/23:00132488
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
001101597700001
EID Scopus
2-s2.0-85174170555
Klíčová slova anglicky
Disilicides; Nanocomposites; Phase boundaries; Vacancies; Si and Al impurities; Computer simulations
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 22. 1. 2024 11:09, Mgr. Pavla Foltynová, Ph.D.
Anotace
V originále
Research on disilicide nanocomposites, as modern materials with promising technological applications, is very desirable in these days. Our ab initio analysis concentrates on the C11(b) (tetragonal) MoSi2/C54 (orthorhombic) TiSi2 nanocomposites containing 14 types of interfaces formed by planes with similar arrangements (i.e. (110) planes in the C11(b) and (100) planes in the C54 disilicide). The most stable nanocomposites are MoSi2(AC)/TiSi2(DACB) with interfaces CD and BA and MoSi2(AD)/TiSi2(CADB) with interfaces DC and BA, both with the formation energy (related to standard element reference states) equal to -0.615 eV.atom(-1) and with the lowest interface energies. In the most stable and one higher-energy interface, the effect of the impurities (Al, Si) and vacancies on the stability and structure arrangement was investigated. It turned out that: (i) Al (Si) impurities occupy Si (Ti) positions in MoSi2 (TiSi2) in the 2nd and 3rd (and 4th) layer from the interface; (ii) the interfacial Si vacancy is the most stable having the formation energy of 2.568 eV.Va(-1); (iii) the least destabilising divacancy is of the Si-Si type, and (iv) Si and Al impurities simplify the formation of vacancies. As there is very little experimental information on the structure and properties of these interfaces, most of the present results are theoretical predictions which may motivate future experimental work.
Návaznosti
LM2015085, projekt VaV |
| ||
LM2018140, projekt VaV |
| ||
LQ1601, projekt VaV |
| ||
90140, velká výzkumná infrastruktura |
|