BOCHNÍČEK, Zdeněk, Ivo VÁVRA a Václav HOLÝ. Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection. Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure. 1999, roč. 6, č. 1, s. 57. ISSN 1211-5895.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection
Autoři BOCHNÍČEK, Zdeněk, Ivo VÁVRA a Václav HOLÝ.
Vydání Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure, 1999, 1211-5895.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/99:00003503
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky thermal stability; mutlilayers; x-ray reflection
Štítky mutlilayers, thermal stability, X-ray reflection
Změnil Změnil: doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr., učo 438. Změněno: 31. 1. 2001 15:50.
Anotace
The thermal stability was studied in temperature range from 150C up to 350C. It has been found, that interdifusion causes the interface shift without lost of interface sharpness. The diffusion model has been suggested that is based on enhanced diffusion of Si into Nb component of the multilayer.
Návaznosti
GA202/98/0569, projekt VaVNázev: Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ
Investor: Grantová agentura ČR, Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 03:06