J 1999

Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection

BOCHNÍČEK, Zdeněk; Ivo VÁVRA a Václav HOLÝ

Základní údaje

Originální název

Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection

Autoři

Vydání

Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure, 1999, 1211-5895

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/99:00003503

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova anglicky

thermal stability; mutlilayers; x-ray reflection

Štítky

Změněno: 31. 1. 2001 15:50, doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.

Anotace

V originále

The thermal stability was studied in temperature range from 150C up to 350C. It has been found, that interdifusion causes the interface shift without lost of interface sharpness. The diffusion model has been suggested that is based on enhanced diffusion of Si into Nb component of the multilayer.

Návaznosti

GA202/98/0569, projekt VaV
Název: Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ
Investor: Grantová agentura ČR, Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ