2001
Thermal stability of partially crystalline Nb/Si multilayers
BOCHNÍČEK, Zdeněk a Ivo VÁVRAZákladní údaje
Originální název
Thermal stability of partially crystalline Nb/Si multilayers
Autoři
BOCHNÍČEK, Zdeněk a Ivo VÁVRA
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. 2001, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.260
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00004219
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000169093700045
Klíčová slova anglicky
Thermal stability; x-ray reflection; interdiffusion; multilayers
Změněno: 29. 5. 2001 16:52, doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.
Anotace
V originále
The thermal stability of [Nb(6.0 nm)/Si(2.0 nm)*50 (*100) multilayers with partially crystalline Nb sublayer deposited onto an (001) oxidized Si wafer has been studied by in situ x-ray reflectivity, ex situ x-ray diffraction, transmission electron microscopy and measurement of low temperature resistivity in annealing at the temperature range up to 450degC. It has been shown that the annealing leads to interface shift without any significant change of interface roughness, which was explained by the diffusion of Si atoms into Nb sublayer. The densification of the multilayer was attributed to creation of Nb3Si phase at Nb/Si interface; presence of this phase was proved by electron diffraction. Annealing up to 250degC has practically no influence on superconductivity of the system though the structure changes are well detectable.
Návaznosti
| GA202/98/0569, projekt VaV |
| ||
| VS96102, projekt VaV |
|