J 2001

Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of self-organized SiGe wires

HOLY, V.; T. ROCH; J. STANGL a G. BAUER

Základní údaje

Originální název

Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of self-organized SiGe wires

Autoři

HOLY, V.; T. ROCH; J. STANGL a G. BAUER

Vydání

Phys. Rev. B, USA, The American Phys. Society, 2001, 0163-1829

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 3.070

Kód RIV

RIV/00216224:14310/01:00005200

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000168937200065

Klíčová slova anglicky

KINETIC GROWTH INSTABILITIES; VICINAL SI(001) SURFACES; STEPPED INTERFACES; GE ISLANDS; MULTILAYERS; DIFFRACTION; SI(113); STRAIN

Štítky

Změněno: 16. 1. 2002 08:27, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Anotace

V originále

The structure of self-organized quantum wires buried at the interfaces of a SiGe/Si multilayer is investigated by grazing incidence small-angle x-ray scattering. A nearly periodic distribution of wires, well described by a short-range ordering model, gives rise to intensity satellite maxima in reciprocal space. The shape of the wire cross section is determined from the heights of these intensity maxima, and the analysis reveals that the conventional step-bunching model is not sufficient to explain the wire shape.

Návaznosti

GA202/00/0354, projekt VaV
Název: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek