ROCH, T., Václav HOLÝ a J. STANGL. Structural investigations on self-organized Si/SiGe islands by grazing incidence small angle X-ray scattering. physica status solidi (b). Berlin: J. Wiley, 2001, roč. 224, č. 1, s. 241-245. ISSN 0370-1972.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Structural investigations on self-organized Si/SiGe islands by grazing incidence small angle X-ray scattering
Autoři ROCH, T., Václav HOLÝ a J. STANGL.
Vydání physica status solidi (b), Berlin, J. Wiley, 2001, 0370-1972.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 0.873
Kód RIV RIV/00216224:14310/01:00005204
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000167827200049
Klíčová slova anglicky STRAIN
Štítky STRAIN
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 16. 1. 2002 08:31.
Anotace
We present a novel technique, based on grazing incidence small angle X-ray scattering (GISAXS)with which information on the shape and the lateral correlation of buried islands can be obtained. The GISAXS measurements were performed on Ge-rich islands grown by molecular beam epitaxy on (001) vicinal substrates with a miscut 2 degrees along the [100] direction. By varying the angle of incidence, GISAXS data sets were obtained for different information depths. These data were analysed quantitatively using a model based on the distorted wave Born approximation. In order to demonstrate the capabilities offered by this technique a 20 period Si/SiGe island multilayer sample was investigated before and after an annealing step at about 750 degreesC for 80 min. The GISAXS data show that the islands change their shape after annealing. For the top island layer a comparison of the GISAXS data with atomic force microscopy topographs was made.
Návaznosti
GA202/00/0354, projekt VaVNázev: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VS96102, projekt VaVNázev: Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
VytisknoutZobrazeno: 28. 7. 2024 01:39