Modification of the optical parameters of silicon thin films due to light scattering

SLÁDEK, Petr; Pavel SŤAHEL a Jiří ŠŤASTNÝ. Modification of the optical parameters of silicon thin films due to light scattering. Journal of Non-Crystalline Solids. Nizozemsko: Elsevier Science B.V., 2002, roč. 2002, 299-302, s. 295-299. ISSN 0022-3093. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00952-8.

Základní údaje

Originální název

Modification of the optical parameters of silicon thin films due to light scattering

Autoři

SLÁDEK, Petr; Pavel SŤAHEL a Jiří ŠŤASTNÝ

Vydání

Journal of Non-Crystalline Solids, Nizozemsko, Elsevier Science B.V. 2002, 0022-3093

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.435

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14410/02:00007015

Organizační jednotka

Pedagogická fakulta

DOI

https://doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00952-8

UT WoS

000175757400059

EID Scopus

2-s2.0-0036539655

Klíčová slova anglicky

silicon thin films; absorption coefficient; light sacttering

Štítky

absorption coefficient, light sacttering, silicon thin films

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

The enhanced light absorption observed in microcrystalline and polymorphous hydrogenated silicon films may partly be due to light scattering. To estimate the importance of this phenomenon. we used the new 'photocurrent induced by light scattering' method. The exciting beam is impinging on the sample outside the inter-electrode region: by changing the position of the exciting light spot and the photon energy. it is possible to estimate the light scattering effects. We applied this method to films of different materials and checked our conclusions by using the modified constant photocurrent method.

---

Návaznosti

MSM 143100003, záměr	Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
OC 527.20, projekt VaV	Název: Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů