J 2004

Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing

FRANCLOVÁ, Jana; Zuzana KUČEROVÁ; Vilma BURŠÍKOVÁ; Lenka ZAJÍČKOVÁ; Vratislav PEŘINA et al.

Základní údaje

Originální název

Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing

Název česky

Strukturální změny vrstev SiOxCyHz připravených v plazmatu indukované zahříváním

Autoři

FRANCLOVÁ, Jana; Zuzana KUČEROVÁ; Vilma BURŠÍKOVÁ; Lenka ZAJÍČKOVÁ a Vratislav PEŘINA

Vydání

Czech. J. Phys. Praha, Institute of Physics Academy of Sciences, 2004, 0011-4626

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 0.292

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/04:00021214

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

Klíčová slova anglicky

Deposited films; plasma enhanced CVD; HMDSO; FTIR; RBS

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 17. 7. 2007 18:00, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

The objective of the present work was to investigate the influence of thermal annealing on the optical and mechanical properties as well as on the chemical structure of plasma deposited SiOxCyHz films. The films were prepared by PECVD from HMDSO/oxygen mixtures under a wide range of deposition conditions. Their optical and mechanical properties were studied by spectroscopic ellipsometry and depth sensing indentation technique, respectively. The atomic composition was determined by RBS and ERDA measurements. FTIR analysis was used to find the densities of particular chemical bonds in the films. The annealed films exhibited changes of the refractive index and extinction coefficient. The refractive index always decreased with increasing annealing temperature. The observed increase in hardness and elastic modulus after annealing was probably correlated with dehydration of the films and an increase of Si-O-Si bonds with increasing annealing temperature.

Česky

Strukturální změny vrstev SiOxCyHz připravených v plazmatu indukované zahříváním

Návaznosti

ME 489, projekt VaV
Název: Studium reaktivity organosilikonových monomerů v depozičním plazmatu
MSM 143100003, záměr
Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
OC 527.20, projekt VaV
Název: Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů