Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy

FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK a Miloslav OHLÍDAL. Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy. Surface and Interface Analysis. USA: John Wiley & Sons., 2004, roč. 36, č. 8, s. 1203-1206. ISSN 0142-2421.

Základní údaje

• Originální název: Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
• Název česky: Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs podložkách pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly
• Autoři: FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Miloslav OHLÍDAL (203 Česká republika).
• Vydání: Surface and Interface Analysis, USA, John Wiley & Sons. 2004, 0142-2421.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 1.209
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/04:00010692
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000223652500136
• Klíčová slova anglicky: THERMAL-OXIDATION; ROUGH BOUNDARIES; LAYERS
• Štítky: LAYERS, rough boundaries, THERMAL-OXIDATION

Anotace

In this paper the results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500degreesC in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of the refractive index and extinction coefficient of these films are presented within the wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of the thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.

Anotace česky

V tomto článku jsou uvedeny výsledky charakterizace tenkých oxidových vrstev připravených na podložkách z monokrystalu GaAs jejich termickou oxidací při teplotě 500o C ve vzduchu. Charakterizace je realizována pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly. Optická charakterizace je provedena využitím vícevzorkové modifikace metody založené na kombinaci víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie aplikované při téměř kolmém dopadu světla. Je ukázáno, že vrstvy vykazují drsná spodní rozhraní a profil indexu lomu. Spektrální závislosti indexu lomu a extinkčního koeficientu těchto vrstev jsou presentovány v široké spektrální oblasti, tj. v oblasti 210-900 nm. Hodnoty tlouštěk a parametrů drsnosti charakterizující oxidové vrstvy jsou také uvedeny.

Návaznosti

• GA101/01/1104, projekt VaV: Název: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

Investor: Grantová agentura ČR, Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

• MSM 143100003, záměr: Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek