2005
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
LÜBBERT, D., C. FERRARI, Petr MIKULÍK, P. PERNOT, L. HELFEN et. al.Základní údaje
Originální název
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
Název česky
Analýza distribuce a Burgersových vektorů dislokací v polovodičových deskách zobrazením rocking-křivek
Autoři
LÜBBERT, D. (276 Německo), C. FERRARI (380 Itálie), Petr MIKULÍK (203 Česká republika, garant), P. PERNOT (203 Česká republika), L. HELFEN (276 Německo), N. VERDI (380 Itálie), D. KORYTÁR (703 Slovensko) a T. BAUMBACH (276 Německo)
Vydání
J. Appl. Crystallography, Velká Britanie, Int. Union of Crystallography, 2005, 0021-8898
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 5.248
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00013607
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000226414500009
Klíčová slova anglicky
lattice tilt; diffraction; X-ray diffraction; wafers; defects; InP; GaAs
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 2. 2007 18:35, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
V originále
The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysis and digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.
Česky
Nedávno jsme vypracovali metodu 'zobrazování rocking-křivkami' (RCI), která s velkým prostorovým rozlišením umožňuje zobrazení nedokonalostí krystalové mříže ve velkých krystalech, jako jsou polovodičové desky.Metoda je založena na kombinaci analýzy rtg rocking křivek a digitální rtg difrakční topografie. V tomto článku navrhujeme rozšíření této metody, které umožní kvantifikovat hustotu dislokací a její distribuci na povrchu krystalu. Prezentujeme výsledky z téměř bezdislokačních S-dopovaných InP a z GaAs krystalů, na nichž je vidět nenáhodná distribuce dislokací.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|