Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging

LÜBBERT, D., C. FERRARI, Petr MIKULÍK, P. PERNOT, L. HELFEN, N. VERDI, D. KORYTÁR a T. BAUMBACH. Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging. J. Appl. Crystallography. Velká Britanie: Int. Union of Crystallography, roč. 38, č. 1, s. 91-96. ISSN 0021-8898. 2005.

Základní údaje

• Originální název: Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
• Název česky: Analýza distribuce a Burgersových vektorů dislokací v polovodičových deskách zobrazením rocking-křivek
• Autoři: LÜBBERT, D. (276 Německo), C. FERRARI (380 Itálie), Petr MIKULÍK (203 Česká republika, garant), P. PERNOT (203 Česká republika), L. HELFEN (276 Německo), N. VERDI (380 Itálie), D. KORYTÁR (703 Slovensko) a T. BAUMBACH (276 Německo).
• Vydání: J. Appl. Crystallography, Velká Britanie, Int. Union of Crystallography, 2005, 0021-8898.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 5.248
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/05:00013607
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000226414500009
• Klíčová slova anglicky: lattice tilt; diffraction; X-ray diffraction; wafers; defects; InP; GaAs
• Štítky: defects, diffraction, GAAS, InP, lattice tilt, wafers, X-ray diffraction
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysis and digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.

Anotace česky

Nedávno jsme vypracovali metodu 'zobrazování rocking-křivkami' (RCI), která s velkým prostorovým rozlišením umožňuje zobrazení nedokonalostí krystalové mříže ve velkých krystalech, jako jsou polovodičové desky.Metoda je založena na kombinaci analýzy rtg rocking křivek a digitální rtg difrakční topografie. V tomto článku navrhujeme rozšíření této metody, které umožní kvantifikovat hustotu dislokací a její distribuci na povrchu krystalu. Prezentujeme výsledky z téměř bezdislokačních S-dopovaných InP a z GaAs krystalů, na nichž je vidět nenáhodná distribuce dislokací.

Návaznosti

• MSM0021622410, záměr: Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur